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Using positive surface charge instead of traditional γ-ray total dose irradiation, the electric field distribution of a P-channel VDMOS terminal has been analyzed. A novel terminal structure for improving the total dose irradiation hardened of P-channel VDMOS has been proposed, and the structure is simulated and demonstrated with a -150 V P-channel VDMOS. The results show that the peak current density is reduced from 5.51 × 10^3 A/cm^2 to 2.01 × 10^3 A/cm^2, and the changed value of the breakdown voltage is 2.5 V at 500 krad(Si). Especially, using 60Co and X-ray to validate the results, which strictly match with the simulated values, there is not any added mask or process to fabricate the novel structure, of which the process is compatible with common P-channel VDMOS processes. The novel terminal structure can be widely used in total irradiation hardened P-channel VDMOS design and fabrication, which holds a great potential application in the space irradiation environment. 相似文献
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介绍了一种基于J1939总线的电喷发动机转速控制的遥控化设计。对遥控发动机的转速控制进行了分析,对控制系统的组成部分、软件设计流程和主调节模块分别作了介绍。针对特种移动机械的作业特点,将电喷发动机转速控制技术安全、有效地应用到该机器上。实践表明,该方法调节性能优良,能满足特种移动机械的作业要求。 相似文献
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基于VHDL多路彩灯控制器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
分析多路彩灯控制器设计原理,采用硬件描述语言实现多路彩灯控制器的设计,具有可编程性、线路简单、可靠性高等特点,并通过仿真对结果进行了验证。 相似文献
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本文研究了一种应变SiGe沟道的NMOS器件,通过调整硅帽层、SiGe缓冲层,沟道掺杂和Ge组分变化,并采用变能量硼注入形成P阱的方式,成功完成了应变NMOS器件的制作。测试结果表明应变的NMOS器件在低场(Vgs=3.5V, Vds=0.5V)条件下,迁移率极值提升了140%,而PMOS器件性能保持不变。文中对硅基应变增强机理进行了分析。并利用此NMOS器件研制了一款CMOS倒向器,倒向器特性良好, 没有漏电,高低电平转换正常。 相似文献
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通过下悬盘一挂点的几何约束方程,建立了非平行摆线三线摆无阻尼自由振动的二阶变系数非线性微分方程,利用该方程导出了非线性振动周期的表达式,对长、短摆线可分别用第一类和第二类椭圆积分表示.系统研究了摆长和摆角对振动周期的影响,并与线性振动的周期进行了比较,对影响短摆线测量周期的因素进行了分析. 相似文献
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