铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究

该文报道了La3Ga5.5Nb0.5O14压电晶体的生长及其压电性能。采用提拉法成功生长了55 mm×150mm的晶体,晶体透明、无包裹体。采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并研究了头尾之间性能差异性。测试结果表明头尾之间的差异性在3%以内,表明晶体存在良好的性能均匀性。     

La3Ga5SiO14晶体极图及应用

介绍一种新型压电材料La3Ga5SiO14晶体绕x轴逆时针旋转y轴极图的理论公式、计算、制作及应用。简要介绍La3Ga5SiO14晶体几种切型下的性能参数和La3Ga5SiO14晶体与SiO2晶体实际切型下的性能参数比。通过论证表明:绘制的La3Ga5SiO14晶体标准极图的各个(ok·l)面满足晶体本身不消光条件,可直观、方便地计算出La3Ga5SiO14晶体的旋转角度和方向。     

新型压电材料——La3Ga5SiO14单晶

介绍了一种性能优异的新型压电材料－Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４单晶的结构及其性能,叙述了Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４单晶的生长条件及其原料制备方法,同时对这种晶体在声体波及声表面波领域的良好的应用前景进行了讨论。     

Li_2B_4O_7的弹性、压电、声光和电光性能

采用提拉法已成功生长出透明、无偏析芯的优质Li_2B_4O_7单晶。由测量不同方向杆和板的谐振和反谐振频率,求得了所有的介电、弹性和压电常数,以及它们的一阶和二阶温度系数。理论和实验结果表明,Li_2B_4O_7对体波和声表面波(SAW)器件具有应用潜力。此外,我们还对Li_2B_4O_7的光学、声光及电光性能进行了测量。     

La3Ga5SiO14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为：介电常数ε11=18.27,ε33=52.26；压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N；弹性柔顺常数S11^E=9.28pm^2/N,S33^3E=6.14pm^2/N,S12^E=-2.72pm^2/N,S13^E=-2.33pm^2/N,S14^E=-3.48pm^2/N,S44^3E=20.56pm^2/N,S66^E=24.0pm^2/N。     

Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究

采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。     

多管下降炉生长Bi4Ge3O12单晶的温场与界面

采用２种不同的炉膛结构设计。温场试验曙场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验,得到了理想的微凸界面,生长出高质量的Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２单晶。     

医用微流控芯片研究进展

随着微电子学和微机电系统技术不断发展,微流控芯片技术不断创新,一些具有颠覆意义的新型医用芯片不断出现,并成为现代医学技术的支撑工具。首先,概述了医用微流控芯片的概念和应用。然后,介绍了6种具有代表性的新型医用微流控芯片的研究进展,包括基因芯片、即时诊断芯片、免疫芯片、可穿戴式芯片、数字化聚合酶链式反应芯片、循环肿瘤细胞芯片、组织与器官仿生芯片。最后,总结了医用微流控芯片的发展趋势。     

?5.5cm Lu_3Al_5O_(12)∶Pr晶体生长与闪烁性能研究

采用中频感应提拉法生长出?55mm×100mm的好质量Lu3Al5O12∶Pr(Pr∶LuAG)晶体,并对晶体进行X线粉末衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱、脉冲高度谱和脉冲形状谱。实验结果表明,Pr∶LuAG晶体的发光中心波长为308nm,光输出为19 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为23ns。     

四硼酸锂单晶的热电和压电性能

在50—-150℃的温度范围内测量了Li_2B_4O_7(LTB)单晶的热电、压电和介电性能.室温时,LTB的介电常数K_3约为10(100kHz),介电tgδ约为1(10kHz),液氮温度下,tgδ降到～10~(-3),室温时测得的热电系数约为-30μC/m~2·K,而当温度为-150℃时,热电系数增至-120μC/m~2·K,并显示出能与室温下获得的TGS的值相媲美的热电品质因素p/K值,测量结果表明,Li_2B_4O_7的一次和二次热电分量为独立分量,其一次效应对热电效应起主要作用.压电测量表明,Li_2B_4O_7的g_(33)值((?)270×10~(-3)V·m/N)和g_h值((?)100×10~(-3)V·m/N)大,预示着Li_2B_4O_7在压力传感器领域的应用前景.