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1.
采用热氧化技术在金属铌箔片上生长了Nb2O5纳米线,利用X射线衍射光谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的物相、形貌和微结构进行表征,并研究了纳米线的光吸收与光催化染料降解特性。结果表明,热氧化所得Nb2O5纳米线为四方相结构,直径约为20-60 nm。当氧气流量为25毫升每分钟(sccm)时,纳米线生长致密、长径比高,构成网络结构。随着氧气流量的增加,纳米线的数量和致密程度逐渐下降。紫外可见吸收光谱表明,Nb2O5纳米线为直接带隙半导体,带隙宽度为3.42 eV。此外,Nb2O5纳米线在波长为365 nm的紫外光照射下对亚甲基蓝、甲基橙和罗丹明B等染料均具有光催化降解性能,效率因子分别为-0.025、-0.021和-0.008 min-1。 相似文献
2.
以Fe2O3纳米粉与铂粉为原料,通过压片与烧结,制备出了Pt-Fe2O3复合纳米陶瓷。SEM等分析表明,该陶瓷中存在大量纳米尺寸的孔洞,其Fe2O3晶粒粒径仅为30nm。以该陶瓷材料制备的氢气传感器,在室温下对氢气具有显著的响应。对氮气中5%氢气,其电阻下降90余倍,响应时间和在空气中的恢复时间分别约为20s和30s。为了揭示其室温氢敏机理,将氮气中氢气的浓度由5%降低至0,发现该陶瓷的电阻不随氮气中氢气浓度的下降而发生变化。该结果表明,Pt-Fe2O3复合纳米陶瓷的室温氢敏现象是由于氢在Pt的催化作用下与吸附氧在室温下发生化学反应而引起的。与之前报道的TiO2基陶瓷材料的室温氢敏现象相比,Fe2O3基陶瓷材料的室温氢敏性能与机理均存在显著的差别,因此有必要对金属氧化物半导体基陶瓷材料的室温氢敏现象进行深入系统的研究。 相似文献
3.
4.
熔锥型单模光纤耦合器的一致性模型 总被引:1,自引:0,他引:1
由于熔锥型光纤耦合器几何形状的特殊性,其耦合特性的研究通常是对于不同的区域采用不同的近似模型。构建了一个可以同时对耦合器各个区域耦合特性进行仿真的一致性模型。选取适当的连续函数描述锥形曲线和横截面形状;采用归一化的三角分布和高斯分布的加权叠加实现了模场沿耦合器各区域的连续变化。利用变分法和局部模式理论,推导出了耦合器任意位置处的耦合系数计算公式。该模型考虑了熔融区的纤芯效应,考虑了锥形区的耦合效应,是一个更为精细的理论模型。数值模拟结果显示,该模型可为光纤耦合器和波分复用器的制作提供理论指导。 相似文献
5.
6.
以Nb2O5和Ta2O5为前驱反应物,KOH为矿化剂,采用水热法和聚合物辅助水热法两种合成工艺制备了KTa0.25Nb0.75(KTN)纳米晶。通过X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(FEM)等技术,对合成产物进行了系统的研究。实验结果表明,表面活性剂聚乙烯醇(PVA)的量和矿化剂KOH的摩尔浓度是影响KTN纳米晶微观结构和形貌的关键因素。采用单纯水热工艺制备的KTN粉体,当c(KOH)达6mol/L、反应温度为200℃及反应时间24h,可生成纯钙钛矿相KTN。在较高碱度条件(c(KOH)=8mol/L)下,表面活性剂PVA的量不改变水热反应最终产物,但晶粒尺寸随表面活性剂量的加大逐渐减小。在较低碱度条件(c(KOH)=4mol/L)下,加入适量的表面活性剂PVA有利于在较温和条件下生成纯钙钛矿结构KTN纳米晶。 相似文献
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