P型InP欧姆接触特性的研究

一、引言随着InP光电器件的发展,尤其是长波长InGaAsP/InP异质结的光源器件和探测器的进展,对P型InP(InGaAsP)材料的欧姆接触特性的研究日益令人感到兴趣。以往的工作中广泛采用Au-Zn合金作为欧姆接触材料,该合金虽能使较低受主浓度的P-InP衬底或外延层形成欧姆接触电极,但它的缺点是与衬底的粘附性差易于剥落,而且它的接触电阻率也偏高(10~(-2)～10~(-3)Ω·cm~2)。本文目的是探索对P-InP新的欧姆接触材料,实验比较了Au-Zn、Ti-Au-Zn和     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究

随着光纤通信系统的发展,长波(1.1—1.7μm)光源的研究巳广泛引起重视。因为在这一波长范围内,石英光纤具有低的传输损耗和材料色散。文献[1]指出,用InGaAsP/InP发光二极管(λ=1.3μm)作光源的系统的传输容量比目前常见的用GaAlAs/GaAs发光     

GaAs-Ga_(1-x)-Al_xAs双异质结发光管欧姆接触的研究

本文叙述了n-GaAs/AuGeNi和P-GaAs/Au-Zn的比接触电阻随合金温度的变化规律,研究了热处理气氛(H_2或N_2气氛中)对合金表面形貌的影响。结果表明:n-GaAs/AuGeNi和n-GaAs/AuGeNi/Au具有相同的比接触电阻。当热处理在N_2气流中进行时,合金的表面形貌呈细粒状。在P-GaAs/Au-Zn中,比接触电阻随合金化温度的增加而缓慢地降低。当合金温度为550℃时,合金的表面形貌呈现明显的缩球。这一方法已应用到GaAs-GaAlAs双异质结发光两极管的制备工艺中,并制得了串联电阻为1-2Ω的器件。本文讨论了接触金属与GaAs在热处理过程中的相互作用问题。     

GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位

用扫描电镜电子束感生电流法研究了GaInAsP/InP双异质结液相外延片的P-n结偏位问题。认为Zn沾污是偏位的主要原因。用控制掺杂浓度,Mg掺杂,均可制得正确的P-n结。用电化学C—V法测试了部分样品。与制管后发射光谱进行了比较,结果相同。