Effect of n-type barrier doping on steady and dynamic performance of InGaN light-emitting diodes

The steady and dynamic properties are comparatively simulated results show that the n-doped LED exhibits is mainly attributed to the higher carrier radiative experimental results perfectly. investigated for the n-doped and non-doped InGaN LEDs. The the superior luminescence and modulation performance, which rate of n-doped LED. The results can explain the reported     

掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响．样品分为两类：一类只生长了（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构．对于只生长了（Al0.3Ga0.7）In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大．这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的．而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度．相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论．     

以低压MOVPE法在GaAs衬底上生长的ZnSe—ZnS_(0.1)Se_(0.9)应力层超晶格的蓝色发光

ZnS 和 ZnSc 是宽禁带的Ⅱ—Ⅵ族化合物,是制备光电器件十分理想的材料,其光谱可复盖从可见到紫外的范围。对于这样的应用,生长高质量的外延薄膜是十分重要的。但是因为没有质量足够高的块状单晶可以用作衬底材料,所以这些材料外延生长的研究集中在异质外延上。例如,GaAs 特别被选用为外延生长 ZnSc 的衬底,因为这二种材料的晶格常数差异很小。但是这个屏质外     

InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

研究表明，In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0．7eV改变到3．4eV，使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系．研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子（2MeV）照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和CaInP有更高的电阻，因此，给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力．实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征，该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释．该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述．     

掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.     

AlN／蓝宝石模板上生长的 Al 0．6Ga0．4N薄膜结构与光学性能研究

采用MOCVD方法在 AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分 Al0．6 Ga0．4 N 薄膜,并采用高分辨率XRD（HRXRD）及阴极荧光（CL）方法对其进行了表征．结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率．     

LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析

本文分析了低压转盘ＭＯＣＶＤ生长室中气流的流动特征,首次提出了在高温（７００℃左右）下生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时,抑制Ｉｎ组分脱吸附的“动压力模型”．解释了托盘转速和生长压力等生长参数对Ｉｎ组分控制的影响．     

调制掺杂同型结对HB—LED工作电压的影响

根据电化学C－V测量AIGalnP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N^ －N与P^ －P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED 工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低LED工作电压的有效措施。     

LED产业应用领域专利竞争格局分析

研究了LED产业应用领域专利的竞争格局和发展趋势,分析了全球、中国和广东省LED应用领域专利技术发展态势、技术关注点,归纳了龙头企业的专利发展态势、研究热点及布局情况。     

LED产业MOCVD设备专利信息分析

通过世界专利索引数据库（DWPI）对MOCVD设备专利进行全面检索,然后进行人工标引,剔除不相关专利,经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选,对AIXTRON的喷淋头结构技术和VECOO公司的MOCVD托盘技术专利进行分析和预警.在“七国两组织”专利数据库与综合专利检索分析系统中,检索出中国的MOCVD设备申请专利,将国内申请和来华申请专利的关键技术点进行比对分析.通过核心技术分析和预警、关键技术点比对分析为中国在这些技术领域做出专利部署或技术研发,制定出适合LED产业MOCVD设备自主知识产权发展战略和政策提供一定的参考和依据.