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1.
基于倾斜换能器结构,采用112°XY-LiTaO3基片材料,加入群延时波动优化。同时对器件孔径、膜厚、占空比、换能器、反射器的波长及指对数进行优化,得到通带波动小于0.2dB,群延时波动小于22ns,矩形系数小于1.6的高性能声表面波滤波器。该文研制的器件具有通带平坦,群延时波动小和矩形度高等特点,有很好的实用性。  相似文献   
2.
该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向,并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好,摇摆曲线半高宽达到3.21°,均方根粗糙度为1.56 nm,应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz,插入损耗为50.7 dB,优于美国Teledyne公司的产品。  相似文献   
3.
该文研制了一款频率3.4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器.该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构,能提升抗热释电静电损伤能力,用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力.同时研制了尺寸为2.0 mm×1.6 mm的芯片级封装(CSP)基板.采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接,降低了电磁寄生影响.结...  相似文献   
4.
利用射频电路模拟软件中构建的声表面波(SAW)低损耗滤波器设计工具,对S波段SAW滤波器的设计技术展开研究。通过建立集总参数模型,分析高频下封装效应对滤波器性能的影响,并成功研制出中心频率达2.2GHz,最小插入损耗为-3dB,相对带宽达到7%的SAW滤波器,测试与仿真结果基本一致。  相似文献   
5.
该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR).通过在压电层上方生长SiO2温度补偿层,实现谐振器的低温漂.未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为—25×10—6/℃.通过适当的膜层结构设计,可使其频率温度系数在±3×10—6/℃.结果表明,由于温度补偿层的增加,导致器件总体压电...  相似文献   
6.
一般的谐振型单相单向换能器(RSPUDT)滤波器结构由两个换能器组成,声波在两个换能器之间形成谐振。在换能器间加入反射栅后,由于中间反射栅的作用,增加了声波的有效传输长度,不仅提高了设计的灵活性,最关键的是使芯片尺寸减小,最多可以减小一半。该文采用了这种带反射栅结构的谐振型单相单向换能器设计技术,设计出的谐振型单相单向换能器声表面波滤波器实测结果与仿真吻合较好。  相似文献   
7.
以声表面波(SAW)延迟线为核心技术,研制出大带宽、小带内波动和长延时的延迟线;通过优化延迟线连接方式和对嵌入式系统及通信系统的研究,研制出1 m步进,1~8 000 m连续可调,200 MHz带宽(3 dB)的C波段高度表激励源.该系统具有小型化,多功能性,通用性和自动化测试的特点.  相似文献   
8.
针对高矩形度低损耗声表面波(SAW)滤波器的需求背景,对混合结构低损耗SAW滤波器的设计技术展开研究,通过建立混合结构滤波器模型,分析优化滤波器性能,成功研制出中心频率260 MHz,插入损耗为2dB,矩形系数优化1.6的声表滤波器,测试与仿真结果基本一致。  相似文献   
9.
该文介绍一种采用横向滤波器结构设计的极窄带声表面波滤波器的设计方法。通过优化抽指加权设计,衍射分析及修正,同时采取措施有效抑制波导效应,研制出极窄带宽、高矩形度、高带外抑制的声表面波滤波器。该产品的插入损耗约-21dB,1dB相对带宽约为1‰,带外抑制大于50dB,通带波纹0.3dB,产品综合性能指标优异。  相似文献   
10.
基于分布间隙纵向耦合五换能器结构,加入谐振器单元,采用41°〖WTBX〗Y X〖WTBZ〗 LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.2 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗为-1.9 dB,相对带宽达到10%,矩形系数2.2,阻带抑制大于50 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。  相似文献   
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