退火时间对ZnO：Al薄膜性能的影Ω响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al／Zn原子比为0．1％的ZnO：Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1～5h不同时间退火处理,利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响。结果显示,退火1h时,样品出现了C轴择优取向,深能级发射（DLE）提高,可见光区光学透过率约为80％,电阻率仅为4×10^-2Ω·cm。更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大。     

退火时间对ZnO:Al薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al/Zn原子比为0.1%的ZnO:Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1~5h不同时间退火处理,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响.结果显示,退火1h时,样品出现了c轴择优取向,深能级发射(DLE)提高,可见光区光学透过率约为80%,电阻率仅为4×10-2Ω·cm.更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大.     

红外热成像无损检测中缺陷深度检测新方法

文章在考虑缺陷大小对深度计算影响的基础上,通过对峰值时间与材料热特性参数、 缺陷深度以及缺陷大小(直径)的拟合,给出一个新的计算缺陷深度的公式,并通过实验验证了其可行性。     

推力轴承线性与非线性稳定性研究

以推力轴承为研究对象 ,在建立了瞬态 Reynolds方程的基础上 ,采用油膜压力的 Taylor级数展开式 ,推导出了非线性油膜力的 Taylor级数展开式 ,对基本方程进行了无量纲化 ,并采用超松弛差分法求出了油膜力中的二阶刚度和阻尼系数 ;建立了镜板的非线性微分运动方程 ,以特征值分析了线性与非线性系统的平衡点的性质和稳定性。     

模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源

采用数值模拟的方法对比性地研究了常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源.静电场的数值计算结果显示:常闭工作模式下该电子源中阴极电极的表面电场分布不均匀,边缘处的高电场易导致其上的碳纳米管烧毁,从而引起场发射电流衰减.为了解决此问题,提出将常开工作模式用于该电子源,并证实常开工作模式能够用于该电子源,并有利于解决电流衰减问题.因此,相对于常闭工作模式,常开工作模式更适合平面栅极型碳纳米管场发射电子源.     

碳钢中缺陷的脉冲红外热成像无损探伤

由于碳钢材料在许多领域有着非常广泛的应用,所以研究碳钢的无损探伤规律具有很重要的现实意义。为探究碳钢在脉冲红外热成像无损探伤中的规律,特设计A、B两种标准试件,利用脉冲红外热成像技术对两种标准碳钢试件中缺陷的大小和深度进行了定量化研究。研究结果表明,测量近表（l〈1．8mm）小缺陷的大小时,应选择在热脉冲作用后约0．3s进行,此时测量误差比较小,并且对深度小的缺陷进行大小的测量要比深度较大的缺陷困难。对于深度较大的缺陷．只要红外热图像清晰,测量误差都比较小。测量缺陷深度时,当缺陷直径大于6mm时,测量误差比较小。当缺陷直径小于6mm时,误差比较大,甚至无法探测到缺陷。由于热扩散,测量缺陷的深度应选择在热脉冲作用后的短时间内进行,以保证红外热图像的清晰度,减小测量误差。     

Preparation and characterization of cubic lattice ZnS：Na Films with （111） preferred orientation

ZnS：Na thin films with （111） preferred orientation were deposited on glass substrates by vacuum evaporation method. The as-prepared films were annealed in flowing argon at 400--500 ℃ to improve the film crystallinity and electrically activate the dopants. The structural, optical and electrical properties of ZnS：Na films are investigated by X-ray diffrac- tion （XRD）, photoluminescence （PL）, optical transmittance measurements and the four-point probe method. Results show that the as-prepared ZnS：Na films are amorphous, and exhibit （111） preferred orientation after annealing at 400 --500 ℃. The PL emissions at 414 nm and 439 nm are enhanced due to the increase of the intrinsic defects induced by the thermal annealing. However, all the samoles exhibit high resistivitv due to the heavy self-compensation.     

ZnO薄膜离子注入改性的研究进展

ZnO是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,离子注入是常用的半导体掺杂技术,文章综述了国内外近年来离子注入技术在ZnO的n、p型掺杂等方面的研究进展.     

尼龙材料内部缺陷的红外热成象无损检测

介绍了利用脉冲式加热的红外热成象无损检测技术定量检测尼龙材料内部缺陷大小及深度的方法，并给出了实验结果及分析。