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1.
基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(Kvco)、恒定子带间距的压控振荡器.该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列,实现了调谐增益线性化及子带间距恒定化.仿真结果表明,当压控振荡器在1.52GHz至2.16 GHz(35.5%)的频率范围变化时,调谐增益从40 MHz/V变化到51 MHz/V(21.5%),子带间距变化为34 MHz到51 MHz,相位噪声在1.8 GHz时为-133.8 dBc/Hz@1MHz.在低压差线性稳压器(LDO)输出电压为2.5V的条件下,整个电路消耗电流约5.2mA.  相似文献   
2.
伍锡安  章泽臣  袁圣越  田彤 《电子学报》2021,49(11):2195-2201
基于UMC 65nm CMOS工艺设计实现了一种快速建立的低噪声带隙基准源.利用工作在深线性区的MOS管实现了GΩ级别大电阻,因此仅采用5pF的电容即实现了截止频率低至32Hz的带开关低通滤波器,有效降低了带隙基准源输出噪声.有源器件的采用大大节省了芯片面积,降低了制作成本.通过采用上电延时电路去控制低通滤波器工作状态,克服了采用大阻值电阻或大容值电容低通滤波器降噪面临的缓慢建立问题,实现了快速建立.通过Spectre仿真器对电路在1.8V电源电压下进行了仿真,后仿真结果表明,电路在10kHz、100kHz、1MHz的输出噪声分别为:11.76nV/sqrtHz、1.213 nV/sqrtHz、336.8 pV/sqrtHz,电路的建立时间为1.436μs,整体功耗为104.4μW.本文设计已在实际芯片中得到应用,并取得了预期效果.  相似文献   
3.
基于0.18μm标准CMOS工艺,提出了一种适用于超高频射频识别阅读器的自动频率校准模拟接收基带。该模拟基带包含直流偏移消除电路和信道选择滤波器,直流偏移消除电路有6dB的预增益,信道选择滤波器采用8阶巴特沃斯结构。在频率校准电路的作用下,滤波器能够分别对250kHz和1.35MHz截止频率进行校准,校准时间小于3μs。后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,整个模拟基带消耗12mA电流,截止频率为1.35MHz,10dB增益条件下带内输入3阶交调达到12dBm,在30dB增益时,带内噪声系数为26dB。  相似文献   
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