首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   30篇
  免费   2篇
综合类   3篇
化学工业   3篇
能源动力   3篇
水利工程   1篇
石油天然气   2篇
无线电   16篇
一般工业技术   4篇
  2015年   3篇
  2013年   3篇
  2012年   1篇
  2011年   3篇
  2010年   1篇
  2009年   9篇
  2008年   3篇
  2007年   2篇
  2005年   1篇
  2002年   1篇
  2000年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1993年   1篇
排序方式: 共有32条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
In this paper, for improving the photocatalytic efficiency of titania(TiO2) nanoparticles(NPs), Ag Au alloy-TiO2 core-shell NPs are fabricated via a sol-gel(SG) process in the presence of Ag Au alloy NPs with block copolymer shells as templates. The photocatalytic activities of the Ag Au-TiO2 NPs on the photodecomposition of methylene blue(MB) are investigated. The Ag Au-TiO2 composite NPs coated with 5.0% titania related to block copolymers show higher photocatalytic activity than the other samples in which the titania contents are larger than 5.0%. The results indicate that the increase of the thickness of the TiO2 shell leads to the decrease of the photocatalytic activity.  相似文献   
2.
本文研究了填充导电炭黑的聚苯乙的电性能和力学性能。结果表明,对炭黑作表明处理,并以适当比例进行填充时,可降低聚苯乙的体积电阻率,改善力学性能,提高其抗电磁干扰的能力。  相似文献   
3.
相对于其他类型的探测器,GaN基紫外光探测器具有很多优点.本文主要介绍了近几年GaN基紫外光探测器的发展,并对各种结构形式进行了比较.  相似文献   
4.
鄂尔多斯盆地西缘南北向断裂的发育及其地质意义   总被引:8,自引:2,他引:6       下载免费PDF全文
该文对鄂尔多斯盆地西缘断裂带中最重要的一条断裂,即青铜峡—固原断裂的几何学、运动学和动力学特征进行了综合研究,认为该断裂带上出露的辉绿岩属于"构造冷侵位"。断裂带两侧在石炭—二叠纪之前有各自不同的地质发展史,三叠纪后断裂带两侧沉积环境基本一致,说明了该断裂为不同地体的碰撞拼贴带。青铜峡—固原断裂带对其西侧的祁连造山带和东侧的鄂尔多斯盆地中央古隆起的形成均起着重要的控制作用。   相似文献   
5.
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试.系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值.  相似文献   
6.
7.
柔性透明导电薄膜ZAO   总被引:4,自引:2,他引:2  
随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注.柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点.总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构和光电特性.评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作做了展望.  相似文献   
8.
p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.  相似文献   
9.
采用直流磁控溅射法在室温条件下制备出Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜.用XRD和SEM分析和观察了薄膜的组织结构和表面形貌,着重分析了靶基距对薄膜结构和光电性能的影响.研究结果表明,制备的Al,Zr共掺杂ZnO透明导电薄膜为具有C轴择优取向、六角纤锌矿结构的多晶薄膜.靶基距对Al,Zr共掺杂Zn0透明导电薄膜的结构和...  相似文献   
10.
本文主要介绍了八盘峡电厂计算机监控系统LCU结构、功能及特点,其同布置、设备选型及应用方面的体会,对老电厂计算机监控系统改造具有一定的借鉴。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号