弥散SiC颗粒增韧Al_2O_3基陶瓷的增韧机制分析

通过对SiC Al2 O3 陶瓷材料内部残余应力的分析 ,根据Griffith微裂纹理论 ,从多个角度分析了弥散SiC颗粒对Al2 O3 材料的增韧机制     

掺杂TiO2的ZnO压敏电阻低压化机理研究

介绍了氧化锌(ZnO)低压压敏电阻研究的必要性.分析了TiO2添加剂促进ZnO压敏电阻晶粒长大的过程和机制;探讨了ZnO压敏电阻低压化机理.宏观电性能测试表明:ZnO压敏电阻中TiO2添加剂的加入,可很好地实现ZnO压敏电阻低压化的目的.     

对ZnO压敏电阻隧道效应的探讨

根据氧化锌压敏电阻的微观结构，提出了势垒交错导致共振隧穿的模型，并运用传递矩阵法合理地解释了ZnO压敏电阻的隧道效应，所得的隧穿电流符合实际ZnO压敏电阻在击穿区的温度特性．     

降温速率对低压ZnO压敏电阻性能的影响

采用低压ZnO压敏电阻配方,利用正电子湮没寿命谱(PAS)及SEM,对试样微结构进行了分析.结果表明,急冷能使低压ZnO压敏电阻的微空洞尺寸增大,缺陷浓度降低.通过分析PAS参数与电性能参数的关系,对急冷能明显降低电压梯度提出了新的解释.     

弥散SiC颗粒增韧Al2O3基陶瓷的增韧机制分析

通过对SiC-Al2O3陶瓷材料内部残余应力的分析，根据Griffth微裂纹理论，从多个角度分析了弥散SiC颗粒对Al2O3材料的增韧机制。     

基于电子全站仪的地理信息采集系统

介绍基于电子全站仪的地理信息采集系统的硬件组成和软件功能，描写了电子全站仪与便携式计算机通过串口进行通信的过程，给出了串行通信的实现代码。     

TiO2形态对ZnO压敏电阻微结构和性能的影响

简要介绍了研究ZnO低压压敏电阻的必要性；对比分析了微米粉体、纳米粉体和纳米胶体3种不同形态TiO2添加剂促进ZnO压敏电阻晶粒长大、压敏电压降低的效果，发现纳米胶体TiO2的效果优于其他2种形态的TiO2．     

物理气相法制备材料芯片的发展

组合材料芯片技术是近几年发展起来的一种快速发现、优化和筛选新型功能材料的方法.要充分发挥其在无机功能材料研究领域的优势,必须解决3个问题:①材料芯片的设计;②材料芯片的高速并行制备;③材料芯片的快速表征.其中材料芯片的制备是整个技术应用的前提,开发适用于高密度材料芯片制备的技术有着非常重大的意义.综述了无机功能材料芯片新的制备方法--物理气相顺序沉积,并简述了相关设备的特点和功能.     

低压ZnO压敏电阻中Bi2O3-TiO2相变过程的研究

在最高温度950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下,采用2种配方:98.3%ZnO-0.7%Bi2O3-1.0%TiO2(摩尔分数),相应的无TiO2配方99.3%ZnO-0.7%Bi2O3(摩尔分数),分别制备样品进行对比研究。发现前者在950℃和1050℃的烧结温度下,没有形成明显Bi2O3偏聚的晶界;在1150℃和1250℃下,却形成了清晰的富铋晶界。而后者在950℃、1050℃、1150℃、1250℃4个温度下均形成了非常明显且清晰可辨的ZnO晶粒和晶界。通过XRD及相对峰强分析,发现了Bi2O3和TiO2在低压ZnO压敏电阻中的相变过程,并对其在烧结过程中的作用提出新的解释。     

钙钛矿锰氧化物磁制冷材料的研究

简要叙述了磁卡效应的基本原理、钙钛矿化合物的晶体结构，对比了不同A、B位离子不同比例取代的钙钛矿化合物的磁熵变，并对其机理做了简要分析。