一种OOK/FSK调制模式的射频发射机电路设计

设计了一种具有OOK/FSK两种调制模式的射频发射机前端电路。它由一个频率综合器芯片和一个功率放大器芯片组成。发射机电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计。测试结果表明,发射机最大输出功率为－0.31 dBm,PLL的相位噪声为－118.79 dBc/Hz@1 MHz。该发射机可以实现OOK/FSK两种调制方式,在OOK模式下,数据率达到10 Mb/s。整个电路采用1.8 V供电,功耗为43 mW。     

一种功率增益可控的全集成CMOS功率放大器

设计了一种单片全集成、输出功率增益可变的CMOS功率放大器电路。功率放大器电路输出级通过电容分压实现阻抗匹配,输出功率增益通过三位数字控制位实现七级增益控制。该功率放大器基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计。测试结果表明,当功率放大器工作在2.4GHz时,功率增益可以从2.5dB变化到16dB。当增益为16dB时,功率叠加效率约为15%,输出1dB功率为8dBm。整个功率放大器芯片尺寸为1.2mm×1.2mm。     

中关村集成电路设计园(IC PARK) ——设计精塑城市之"芯"

正现代高新技术产业园区的规划设计区别于一般地产、商业建筑,既要满足现代办公环境的功能需求,又要体现园区自身特色以吸引现代企业的入驻。中关村集成电路设计园(IC PARK)诞生于国家集成电路发展战略,是致力于打造IC产业生态的综合创新产业园区,因此项目的设计及规划从一开始就要考虑到更多的行业专项诉求及城市因素。     

一种应用于WiMAX协议的全集成3.5GHzCMOS功率驱动放大器

A fully integrated CMOS differential power amplifier driver(PAD) is proposed for WiMAX applications. In order to fulfill the differential application requirements,a transmission line transformer is used as the output matching network.A differential inductance constitutes an inter-stage matching network.Meanwhile,an on chip balun realizes input matching as well as single-end to differential conversion.The PAD is fabricated in a 0.13μm RFCMOS process.The chip size is 1.1×1.1 mm~2 with all of the matching network integrated on chip. The saturated power is around 10 dBm and power gain is about 12 dB.     

环氧模塑料在接触件密封结构中的应用

介绍了环氧模塑料在水密连接器接触件密封结构中的应用,叙述了其成型工艺、优点及实际应用效果。环氧模塑料制成的绝缘接触件具有良好的电性能和水密性能,特别是工艺一致性较好,产品质量较为稳定,绝缘耐压性能优异,耐水压能力很强,可以满足深海水密环境应用。在海洋开发的大背景下,环氧模塑料在水密连接器密封结构中的应用具有良好的前景。     

协同创新理念下的消费产业人才培养模式研究

创新型人才培养模式是高校改革的关键,关系到社会的可持续发展与国家的创新能力。消费产业创新人才的缺乏制约了企业的创新能力与快速发展的趋势。本文从对目前高校人才培养模式的审视出发,分析协同创新培养消费产业人才的必要性,提出消费产业人才培养模式的构建,并对这种选择提出机制上的约束。     

浅析即插即拔式水下连接器

本文详细介绍了用于水下设备中的即插即拔式水密连接器的密封原理、结构形式和性能。该类连接器具有耐环境、水密性能良好、可水下插拔等特点,能够在水下实现即插即拔的使用功能,起到机械连接和信号传输的作用。     

一种500 Mbps至4 Gbps连续速率的多模式CDR电路

提出了一种连续速率的时钟数据恢复(CDR)电路,可覆盖500 Mbps到4 Gbps数据率。该CDR电路在130 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺下实现,基于相位插值(PI)原理,采用数字投票电路和相位控制逻辑替代电荷泵和模拟滤波器以方便工艺移植。为缩小片上锁相环(PLL)输出时钟频率范围,同时避免PI电路处于非线性区,该CDR电路采用多种速率模式切换的方式将采样时钟频率限定在500 MHz~1 GHz之间。PI电路为7 bit精确度,线性度良好,4 Gbps数据率时,恢复时钟的峰峰值抖动约为25.6 ps。该CDR误码率在10-10以下,可跟踪最大±976.6 ppm的数据频偏,功耗约为13.28 mW/Gbps,测试芯片大小为5 mm2,其中CDR芯核部分为0.359 mm2。     

一种适用于LDO的新型斜坡软启动电路

提出了一种新型的应用于低压差线性稳压器(LDO)的斜坡软启动电路,其采用两路斜坡使能信号以及一路斜坡基准信号,消除了电源上电时产生的浪涌电流。该斜坡软启动电路已应用于一款LDO中,并采用0.35 μm CMOS 工艺实现流片,其仅占LDO有效面积的8.3%,消耗电流仅600 nA。仿真以及测试结果显示,采用该软启动电路之后,LDO的上电浪涌电流得到有效抑制。LDO在最差情况下的线性调整率为2.7 mV/V,负载调整率为0.064 mV/mA。     

自对准连接器的结构设计

在电传输对接系统中,电连接器采用机械对接的场合越来越多。由于两系统各自存在的制造误差可能导致连接器配接不畅,甚至无法对接,故连接器需具备自对准功能。重点对连接器的自对准结构设计进行了分析阐述。