D+离子束和自成型钛靶的作用特性研究

利用ZF-300 keV中子发生器,采用伴随粒子法研究D+离子束和自成型钛靶的中子产额随束流轰击时间的变化特性;利用X射线衍射分析和扫描电镜分别研究束流对靶物相结构和表面形貌的影响。结果表明,随D+离子束的轰击和注入,中子产额随轰击时间的变化逐渐变大,中子产额达到最大值后又随轰击时间的变化逐渐变小;束流轰击前后靶表面无熔坑出现,随D+离子束流的增大,靶表面的条纹状痕迹逐渐消失;D+离子束的轰击未改变自成型钛靶的物相结构。基于离子与固体相互作用的数值模拟,分析讨论了D+离子束和自成型钛靶的作用机制。     

脉冲中子源中子产额稳定性的评定

中子产额的稳定度是脉冲中子源的一项重要指标.文中介绍了一种评定脉冲中子源产额稳定性的新方法.测试系统由长计数器和一对性能基本相同的积分型探测器组成,中子产额的稳定度直接通过数据处理获得而无需对各探测器测量的不确定度进行分别评定.通过不同探测器得到的实验结果彼此符合很好.     

基于二维PIC-DSMC耦合算法的真空沿面闪络形成过程的等离子体演化特性

真空沿面闪络一直是限制相关高压技术应用的重要问题,因此通过深入认识真空沿面闪络形成过程等离子体演化特性来掌握影响等离子体形成和演变的主要因素,对进一步提高相关器件耐压性能有重要意义。为此基于金属-真空-绝缘体交界处的三相点场致电子发射、绝缘体表面电荷累积、二次电子发射、气体解吸附及电子与解吸附气体相互作用等基本物理过程,通过二维轴对称PIC-DSMC(网格质点法-直接模拟蒙特卡罗法)耦合算法建立了1 mm间隙的真空沿面闪络仿真模型,阐明了电子、离子和中性粒子的时空分布演化特性,揭示了绝缘体表面电荷累积对阴极表面电场的增强作用以及其导致的三相点场致发射电子增加,阐明了阴极附近正离子大量出现并增强场致发射导致了阴极附近首先形成电子雪崩并从而引起真空沿面闪络的物理过程,从而获得了完整的真空沿面闪络形成过程中的等离子体演化特性,这为深入理解真空沿面闪络机制和进一步提高相关器件性能奠定了基础。     

用于石油测井中子管的微型潘宁源的研制

为适应新一代石油测井中子管对小型化、稳定性好的离子源的要求，研制设计了一种阳极简直径为10mm的冷阴极潘宁离子源。通过优化结构设计、合理设计电磁场和屏蔽电磁场的干扰，此离子源应用于石油测井中子管具有放电电流稳定、中子产额高、工作性能好的特点，经实践证明能满足新一代石油测井中子管对离子源的要求。     

小型Tesla变压器线圈参数仿真及应用

为了提高变压器的研制效率,方便其工作状态的分析,运用ANSYS软件进行小型Tesla变压器的建模仿真.将仿真计算数据与相应的实验测量结果进行对比分析,验证仿真所得的电感、电容等参数的可靠性,并在仿真计算的基础上,根据Tesla变压器的数学模型计算出变压器输出电压波形,与实际测量的结果相比较,基本吻合,实现了变压器由结构模型到输出波形的模拟计算.     

高性能触发真空开关的研究综述

综述了目前国内外高性能触发真空开关的研究进展;归纳了触发真空开关的结构研究情况,按触发形式的不同将其分为沿面击穿型和场击穿型,按结构形式不同可将其分为多棒极型、磁延滞型、带辅助阴极型、长间隙型、触发真空灭弧室、棒状电极和圆筒状电极型;分析了触发真空开关的击穿机理研究情况;总结了触发真空开关的触发特性和导通特性等性能研究情况。     

潘宁离子源研究概述

阐述了潘宁离子源的工作机理，对它的诞生、发展到应用的研究历程进行了回顾，并重点介绍了国内外的发展概况，然后对潘宁源的应用，特别是在测井上的应用进行了介绍，最后讨论了国内研究工作存在的不足，并指出潘宁离子源在理论与实验研究领域的发展方向。     

真空弧离子源引出束流在加速空间的分布

采用数码相机直接照相的方法来确定真空弧离子源引出束流在加速空间的分布。实验在动态真空实验系统中进行,系统真空度优于2×10-3 Pa。在离子源脉冲工作的条件下,采用数码相机拍摄到离子源引出束流在加速空间的积分图像,得到引出束流的幅亮度在拍摄平面上的相对分布,然后再通过Abel转换得到引出束流在加速空间的径向分布。实验结果表明:真空弧离子源引出束流近似高斯分布,离子源出口处的束流比靶入口处的束流强40%。     

DEPTH PROFILING OF DEUTERIUM IN Al2O3

ＤＥＰＴＨ　ＰＲＯＦＩＬＩＮＧ　ＯＦ　ＤＥＵＴＥＲＩＵＭ　ＩＮ　Ａｌ_２Ｏ_３￥ＴａｎＸｉａｏｈｕａ（谈效华）；ＬｕｏＳｉｗｅｉ（罗四维）；ＳｏｎｇＺｈｅｍｉｎｇ（宋哲明）（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｐｐｌｉｅｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｏｆＣＡＥＰ，Ｃｈｅ...     

真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为

采用高速摄影和光谱诊断的方法研究了真空弧离子源脉冲工作瞬间的放电行为。拍摄了离子源放电瞬间吸氢电极上阴极斑的形成过程，分析了不同放电电流时阴极斑的发射光谱。实验结果表明，当脉冲工作电流为10^1—10^2A时，真空弧离子源放电区一般只有单个阴极斑，阴极斑的位置在同一次放电中的变化很小；较大的脉冲工作电流有利于提高阴极斑的温度，并最终导致氢离子浓度的增加，但也会使阴极材料的溅射更加严重，造成离子源等离子体品质下降。