改进的适用于GSM的单环过采样调制器

传统的前馈结构由于在量化器前存在复杂的加法器因而会造成性能受限。本文给出了一个改进的四阶一位过采样调制器, 它采用了简单的加法器和延时输入前馈通路,从而降低了调制器的时序需求同时实现低失真。调制器由0.35微米工艺流片,完成了92.8dB的信号噪声失真比和101dB的动态范围,信号带宽100kHz,在3.3V电源电压下,消耗8.6mW。本调制器的性能满足GSM系统的需求。     

新型高速低功耗显式脉冲触发器电路设计

提出了两种新型脉冲触发器结构--EXPAND触发器和EXPAND-TG触发器.同传统结构相比,新结构一方面通过减小中间节点电容提高电路亢放电速度,另一方面通过消除信号竞争避免直流短路电流对电路速度和功耗的影响.同其他文献报道的结构相比,新结构在功耗和速度上均有明显的改进.     

砂岩油藏注水井水驱前缘计算方法研究

介绍2种确定砂岩油藏注水井水驱前缘位置的方法——试井分析法和贝克莱-列维尔特法.运用这2种方法分别对新疆某砂岩油藏注水实例井进行计算,与现场结果对比发现:贝克莱-列维尔特法计算的结果随注水时间的增加偏差越来越大,在注水早期偏差小,注水中后期偏差相对较大;试井分析法计算的结果偏差小,不受注水时间的影响.贝克莱-列维尔特法较试井分析方法计算简单、使用方便.因此,在注水开发早期,推荐使用贝克莱列维尔特法计算水驱前缘,在注水开发中后期,推荐使用试井分析法计算水驱前缘.     

带主从式T/H电路的折叠插值A/D转换器

提出了一种主从式T/H电路,有效解决了折叠ADC预处理器限制输入信号带宽的问题,使预处理电路速度及稳定性得到大幅度改善;同时该T/H结构使用内部差分误差补偿技术,在高采样率情况下保持良好的精度,有效抑制了电荷注入、时钟馈通等问题.在1 .2 μm SPDM标准数字CMOS工艺条件下,实现6 bit CMOS折叠、电流插值A/D转换器.仿真结果:采样频率为2 5 0 Ms/s时,功耗小于30 0 m W,输入信号带宽约80 MHz,输入模拟信号和二进制输出码输出之间延迟为2 .5个时钟周期     

一种快捕获宽调节范围的锁相环

提出了一种快捕获,低抖动,宽调节范围的增益自适应锁相环的设计.在这个方案中,采用了双边触发的鉴频鉴相器(dual-edge-triggered phase frequency detector)和自调节压控振荡器(self-regulated voltage controlled oscillator)并进行了详细的分析.芯片的加工工艺是0.5μm 1P3M CMOS标准数字逻辑工艺.测试结果表明输入频率变化在捕获范围的37%时,捕获时间为150ns;输出频率为640MHz时,均方根抖动为39ps.     

一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环

提出了一种低抖动、宽调节范围的带宽自适应CMOS锁相环.由于环路带宽可根据输入频率进行自动调节,电路性能可在整个工作频率范围内得到优化.为了进一步提高电路的抖动特性,在电荷泵电路中采用匹配技术,并在压控振荡器中应用电压-电压转换电路以减小压控振荡器的增益.芯片采用SMIC 0.35μm CMOS工艺加工.测试结果表明该锁相环电路可在200MHz～1.1GHz的输出频率范围内保持良好的抖动性能.     

对数跳跃加法器的静态CMOS实现

介绍了一种32位对数跳跃加法器结构.该结构采用EL M超前进位加法器代替进位跳跃结构中的组内串行加法器,同EL M相比节约了30 %的硬件开销.面向该算法,重点对关键单元进行了晶体管级的电路设计.其中的进位结合结构利用L ing算法,采用支路线或电路结构对伪进位产生逻辑进行优化;求和逻辑的设计利用传输管结构,用一级逻辑门实现“与-异或”功能;1.0 μm CMOS工艺实现的32位对数跳跃加法器面积为0 .6 2 mm2 ,采用1μm和0 .2 5 μm工艺参数的关键路径延迟分别为6 ns和0 .8ns,在10 0 MHz下功耗分别为2 3和5 .2 m W.     

FPGA中任务运行空间动态定位算法

有效地利用现场可编程门阵列(FPGA)的任务运行空间是提高可重构系统性能的重要因素.针对嵌入式实时任务的运行特性,提出一种带有时间维的三维任务空间的动态定位算法.将时间因素与任务运行空间紧密结合,从而有效降低了任务放置算法的时间复杂度.     

新型薄栅氧混合电压I/O缓冲器

This paper presents a novel mixed-voltage I/O buffer without an extra dual-oxide CMOS process.This mixed-voltage I/O buffer with a simplified circuit scheme can overcome the problems of leakage current and gateoxide reliability that the conventional CMOS I/O buffer has.The design is realized in a 0.13-μm CMOS process and the simulation results show a good performance increased by ～34% with respect to the product of power consumption and speed.     

砾石充填防砂技术对稠油井产能的影响

针对防砂对稠油开采带来的附加影响严重问题，展开了砾石充填防砂研究。在常规套管射孔井的预测基础上，附加考虑了这些区域的流动阻力和表皮问题，形成了砾石充填油井的产能预测。对砾石层渗透率压降影响分析表明：炮眼砾石层压降随砾石渗透率的增大而降低，随着原油黏度的增高，炮眼压降增大，油井产能会大大降低，而原油粘度特别大的油井，会出现充填防砂后供液不足的情况。研究认为：选择适当尺寸的充填砾石，在防砂施工过程中避免砾石破碎，从而保持较高的渗透率，有利于充填防砂井获得较高的产能。对指导出砂井的稠油开发具有重要意义。