基于密度泛函理论计算的3d过渡金属掺杂CuGaS2电子结构分析

3d transition metals doped CuGaS2 are considered as possible absorbing material candidates for intermediated band thin film solar cells. The electronic structure and optical properties of 3d transition metals doped CuGaS2 are investigated by using density functional theory calculations with the GGA ＋ U method in the present work. The doping with 3d transition metals does not obviously change the crystal structure, band gap, and optical absorption edge of the CuGaS2 host. However, in the case of CuGa1-χTMχS2 （TM = Ti, V, Cr, Fe, and Ni）, there is at least one distinct isolated impurity energy level in the band gap, and the optical absorption is enhanced in the ultraviolet-light region. Therefore, these materials are band thin film solar ceils. The calculated results are very well better explain them. ideal absorber material candidates for intermediated consistent with experimental observations, and could better explain them.     

氧化石墨烯对矿渣粉磨和水泥混凝土性能的影响

为了研究氧化石墨烯对矿渣粉磨及水泥混凝土性能的影响,本文采用氧化石墨烯、丙三醇、三乙醇胺做助磨剂,通过测量矿渣粉体休止角、细度、颗粒分布研究对矿渣粉磨的影响;通过测试水泥强度、标准稠度用水量、凝结时间、安定性研究对矿渣水泥性能的影响;通过测试混凝土塌落度、28 d强度、抗侵蚀系数研究对混凝土性能的影响。结果表明：与传统助磨剂三乙醇胺、丙三醇相比,氧化石墨烯同样具有类似的助磨效果,并提高了矿渣水泥和混凝土的28 d强度,与空白样相比,矿渣水泥强度和混凝土28 d抗压强度分别提高10%和5.8%,混凝土的流动性和抗侵蚀性也有一定程度的提高,混凝土试块的抗OH-侵蚀系数和抗SO42-侵蚀系数分别为0.976和0.973。     

用于SO2氧化的V2O5-K2SO4/硅藻土工业催化剂失活原因探讨

本文采用X-射线衍射(XRD)、程序升温还原（TPR）及BET法比表面测定和扫描电镜（SEM）等手段,对两批用于SO₂工业氧化的V₂O₅-K₂SO₄/硅藻土催化剂(A和B)的物相结构、催化活性和比表面等进行了对比研究,探讨了催化剂B在工业生产中快速失活的原因。     

锐钛矿相TiO2电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用第一性原理平面波超软赝势方法计算了锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质,并从理论上分析了它们之间的关系.利用精确计算的能带结构和态密度分析了电子带间跃迁占主导地位的锐钛矿相TiO2的介电函数、复折射率、反射率和吸收系数,理论计算得到的结果与实验测量结果基本一致.结果表明锐钛矿相TiO2在E//c和E上c两个极化方向上具有明显的光学各向异性,为锐钛矿相TiO2的应用提供了理论依据.     

BBC掺杂BSNN-BSZT陶瓷低温烧结性能的研究

采用传统的两步固相反应法制备了一种低温烧结的CuBBiO_4-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Ni_(1/3)Nb_(2/3))-(Ba_(0.8)Sr_(0.2))(Zr_(0.5)Ti_(0.5))(BBC-BSNN-BSZT)压电陶瓷,并研究了CuBBiO_4(BBC)掺杂量对陶瓷微观形貌、相结构、介电、压电性能和烧结温度的影响。研究结果表明,制备的陶瓷样品为单一的钙钛矿相,未发现其他杂相;掺杂的BBC低熔点化合物在烧结中提供适量液相,促进烧结,样品可在925℃烧结致密。该压电陶瓷材料的居里温度由158℃提升到230℃;当掺杂w(BBC)=0.75%(质量分数)时,陶瓷达到最佳压电性能:压电常数d_(33)=613pC/N,机电耦合系数k_p=0.7,介电常数ε_r=3 926,介电损耗tanδ=0.005 2,品质因数Q_m=70。居里温度T_C=227℃。     

铁磁恒弹性合金性能时间稳定性研究--稳定化处理对其组织结构稳定性的影响

本文对三种不同时效组织结构的铁磁恒弹性合金,通过检测其稳定化处理前后的物性和内应力变化,发现低温长时(500℃×6h)时效组织结构最稳定,这与细小、弥散的γ'相和结构不均匀较大地抑制了畴壁可动性有关.稳定化处理(400℃×10h)使合金的组织结构进一步向平衡态转变,△Eλ效应、内耗Q-1、内应力σi减小,矫顽力Hc增加,这是由于稳定化处理使杂质或缺陷(γ'相和位错)对畴壁的钉扎作用增强所致.     

Zn0.85Co0.15O薄膜的制备及其结构分析

用电子束蒸镀方法在(100)单晶Si衬底上,生长Zn0.85Co0.15O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄(为0.4834°)。     

基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响

用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF₂金属陶瓷薄膜内应力的影响。结果表明:基底温度在300℃~400℃范围内,φ20.4mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀,应力为张应力。XRD分析表明:当基底温度在300℃~400℃范围内,Ag-MgF₂薄膜中的Ag和MgF₂组分的晶格常数接近块体值,说明通过改变基底温度可以降低薄膜内应力。     

可见光诱导纳米TiO2超亲水薄膜的研究进展

纳米TiO2超亲水薄膜是最具应用潜力的自清洁材料之一，但由于其禁带宽度较大，只能被波长小于387nm的紫外光所激发，不能有效地利用太阳光中占绝大部分的可见光，使其实际应用受到极大的限制。因此研究开发可见光激发的纳米TiO2超亲水薄膜就成为该领域的关键课题之一。综述了近年来纳米TiO2薄膜的超亲水性机理的研究情况及影响亲水性的因素、实现可见光响应的改性方法，并对纳米TiO2超亲水薄膜的应用前景进行了展望。