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1.
远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵   总被引:1,自引:1,他引:0  
设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。  相似文献   
2.
描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.  相似文献   
3.
本文介绍了准分子激光切割金刚石薄膜的实验结果,给出了切割金刚石薄膜的光能量密度阀值,并对其结果进行了分析和讨论。  相似文献   
4.
报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”,测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性.  相似文献   
5.
对阶梯和窄台衬底内条形(TSIS和NMSIS)半导体激光器的稳态光输出特性进行了数值计算。得到TSIS激光器的侧向波导非对称性允许其在大范围电注入下基横模工作和NMSIS器件远场光强分布呈现双峰现象,这些计算结果得到了实验验证。  相似文献   
6.
用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法,通过低压MOCVD技术在InP衬底上利用GaAs张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的InAs岛状结构.  相似文献   
7.
可见光阶梯衬底内条形半导体激光器   总被引:3,自引:2,他引:1  
将所设计的新结构半导体激光器──阶梯衬底内条形激光器推进到可见光波段(0.75—0.80μm)。器件直流阈值最低26mA,光功率线性15—20mW,2—4 I_(th)基模工作,4mW工作寿命已超过5000小时。本文还讨论分析了该结构器件可靠性改善的原因。  相似文献   
8.
描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.  相似文献   
9.
采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路.在1.5Gbit/s 223-1伪随机码调制下器件有张开的眼图,光输出功率为2dBm,芯片功耗约120mW.  相似文献   
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