残留杂质对掺锌InGaAlP中锌的电活性的影响

研究了 H、O 等残留杂质对低压 MOCVD 法制备的掺锌 In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P 中锌元素电活性的影响。具有 p 型顶层的掺锌 InGaAsP 中锌电活性相当低而氢浓度浓效高。在具有 n 型顶层的掺锌 InGaAsP 中锌的电活性相当高且没有检测出氢。在具有 p 型顶层的 In-GaAsP 中锌受主可能被氢钝化了。InGaAsP 中的氧浓度强烈依赖于铝组份,当 x>0.4时,氧浓度突然升     

氯化物SFT法制备InGaAsP处延层

日本学者用氯化物单平台温度层(SFT)法成功地气相外延制成了 InGaAsP 薄膜。此法具有较高的组份控制能力和重复性。文章列出了 InGaAsP 外延层的基本参数,生长动力学、光学和电学性质参数。指出,In-GaAsP 外延生长同其它Ⅲ—Ⅴ族合金一样,缓慢的动力学过程控制着外延生长速度。另外还制成了一个     

硝酸盐干燥法制备高质量超导陶瓷

日本大阪大学电子工程部利用升华干燥硝酸盐溶液的工艺制得了高质量的YBa_2Cu_3O_(7-x)超细粉末,并进一步成功地制出了超导小片。该工艺以按Y∶B∶Cu=1.0∶2.0∶3.3配制的Y(NO_3)_3、Ba(NO_3)和Cu(NO_3)_2混合水溶液作为初始溶液,将其喷入-100℃的n-正乙烷液中,经冷冻转化为超细粉末。再将此粉末置于特制的真空室内,在-40℃下升华干燥,即获得超细的干燥YBCO粉末。该粉末呈淡     

CdTe基底表面的STM研究

用扫描遂穿显微镜(STM)研究了用于 MBE 生长的 CdTe 基底表面,发现其表面不平整度取决于不同的表面制备步骤。机械抛光试样的表面粗糙度大约为100nm,这是由抛光粉决定的。用化学-机械抛光法制备的样品表面粗糙度下降至60nm。经腐蚀抛光后的     

GSMBE法ZnSe外延层中的晶体缺陷

ＧＳＭＢＥ法ＺｎＳｅ外延层中的晶体缺陷日本三菱电子公司最近研究了气态源分子束外延ＺｎＳｅ膜初始阶段的晶体缺陷。实验以金属锌和Ｈ２Ｓｅ为源，在具有（４×８）Ｇａ稳定表面的（１００）ＧａＡｓ缓冲层上生长ＺｎＳｅ。用反射高能电子衍射（ＰＨＥＥＤ）原位监测了...     

Nd－Fe－B永磁体防腐蚀技术进展

介绍了Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁体的防腐技术最新进展。合金化法通过增强磁体自身耐蚀性，虽不能完全避免腐蚀的发生，但可简化表面处理；还介绍了各种防护涂层及其特点     

世界硅材料市场述评

硅材料是半导体材料工业的基础，近年来市场需求不断增加，至本世纪末仍将保持稳定增长。目前硅单晶材料仍以１５０ｍｍ硅片为主，２００ｍｍ硅片的用量已扩大至总用量的１６％，产品供不应求，导致了全球性的建厂热潮。今后的发展方向是生产３００、４００ｍｍ甚至更大直径的晶片。生产硅片的原料多晶硅严重短缺，１９９６年将有所缓解。最后对１９９６年和１９９７年硅材料市场进行了预测。     

低压OMVPE法GaAs外延层表面缺陷

日本研究人员用 SEM 与 TEM 详细研究了低压OMVPE 法 GaAs 外延层的表面缺陷。外延层生长以GaAs 为基底,方向(100)±0.5°,生长温度630～650℃,Ⅴ/Ⅲ约20～100,生长压力0.1～76Torr 文章用 SEM 与 TEM 详细观测了表面缺陷的形状和内部构造。研究发现,低压 OMVPE 法 GaAs 外延层表面分布着从表面凸起的椭圆锥形缺陷,与氯化物 VPE 法GaAs 外延层表面的小丘类似。而且,在每个缺陷中心附近存在一个位错。这一现象表明,具有旋转成分的位错终端的缧旋生长导致了椭圆锥形表面缺陷的形     

多晶硅与坩埚的纯度对单晶硅的影响

多晶硅与坩埚的纯度对单晶硅的影响将不同组份的多晶硅与不同纯度的坩埚组合，用ＭＣＺ法制成单晶硅，通过对单晶硅片的测量，分析讨论了多晶硅熔体组份与坩埚纯度对单晶硅片中少数载流子复合寿命的影响。实验结果表明，多晶硅中剩余的铁元素是制约提高载流子寿命的关键因...