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1.
外层空间红外成像制导对抗技术分析   总被引:16,自引:2,他引:14  
红外成像探测、跟踪和识别技术是美国反导系统的关键技术之一。如何对抗红外成像末制导拦截弹,实现弹道导弹的成功突防,已成为世界各国研究的重要课题。今系统分析弹道导弹的红外辐射特征、对抗红外成像末制导拦截弹的机理、对抗技术措施和关键技术,并且展望了其发展趋势。  相似文献   
2.
InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势.为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-Penney模型对材料的能带结构进行了理论计算;同时,利用输运理论的质量和动量平衡方...  相似文献   
3.
应用Lambert-Beer定律计算红外烟幕透过率的误差问题   总被引:3,自引:0,他引:3  
红外烟幕的光学性能测试一般依据Lambert-Beer定律进行,但在烟幕的光学厚度较大时,按该定律计算烟幕的透过率会存在较大的误差。本文通过求解辐射传输方程得到烟幕透过率的精确解,将其与Lambert-Beer定律的结果相对照,获得了用Lambert-Beer定律计算较大光学厚度烟幕透过率的误差。  相似文献   
4.
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108 Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件.目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究ME...  相似文献   
5.
作为全固态微光器件,InxGa1-xAs器件通过调节材料组分x值,其响应波段覆盖夜天光辐射的主要波段,对夜天光的能量利用率高。加之材料量子效率高,器件性能好,可望显著提高夜视系统作战距离;另外,采用半导体常规工艺制作,可完成大面阵、长线列器件制备,无需封装在(超)高真空系统,制备简单;采用CMOS读出电路进行信号数据的读取、传输与放大,有利于进行数据的处理和优化改善。由于具备的以上技术优势,InxGa1-xAs器件成为一种新型的高性能全固态数字化微光器件。InxGa1-xAs器件与传统的微光器件在光电转换原理以及器件制备方面存在不同,决定了两者在性能上存在的差异。文中对此进行了对比分析,分析结果体现了InxGa1-xAs全固态数字化微光器件的技术优势和特点,以及InxGa1-xAs全固态数字化微光器件存在的重要应用和发展需求。  相似文献   
6.
InGaAs短波红外探测器研究进展   总被引:4,自引:2,他引:2  
InxGa1-xAs材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随In组分含量的不同,其光谱响应的截止波长可在0.87~3.5μm范围内变化,并具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式,很容易获得大面积高质量的外延材料,InGaAs材料因此成为一种重要的短波红外探测材料。InGaAs探测器可以在室温或近室温下工作,且具有较高的灵敏度和探测率,是小型化、低成本和高可靠性的短波红外探测系统的最佳选择,因此InGaAs短波红外探测器获得了飞速的发展和广泛的应用。同时对国内外InGaAs焦平面探测器发展状况和趋势进行了介绍。  相似文献   
7.
本文介绍一种准确、可行的计算目标距离的方法。在计算目标距离时须要考虑大气传输、目标辐射特性、目标外形尺寸及热成象系统本身的性能参数。  相似文献   
8.
介绍了冲天炉和中频炉熔炼铸铁的炉渣成分及来源,提出减少铸铁内部非金属夹杂物的措施:(1)提高铸铁的冶金质量;(2)改善铸铁中非金属夹杂物的形态及分布。描述了铁液二次渣的形成原因,认为采取适宜的措施及铁液处理技术,可以减轻铁液二次氧化及其不利影响。  相似文献   
9.
针对高原山地特殊的作战环境,分析了高原山地自然环境对常规烟幕性能的影响,探讨了高原山地环境光电对抗烟幕技术的发展对策,认为烟火型多频谱发烟剂是一种比较理想的高原山地型发烟剂.  相似文献   
10.
太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算   总被引:2,自引:2,他引:0  
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。  相似文献   
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