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本文根据电子通道的性质和极射赤面投影的原理,编写了绘制理想晶体标准电子通道花样的计算机程序。结果表明:应用这种方法,不仅可节省大量试验,而且能迅速、准确、完整地绘制出七大晶系的理想晶体标准电子通道图。 相似文献
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上世纪80年代初,北京塑料研究所在“聚氯乙烯泡沫人造革助剂的筛选”论文中,在国内首次确立了以偶氮二甲酰胺(AC)发泡剂作为聚氯乙烯(PVC)人造革的泡沫发泡剂,并合理选用PVC的稳定剂兼作AC发泡剂活化助剂的基本论点。20多年来人造革生产发生了巨大的变化,干、湿法聚氯酯人造革以及PVC牛津革等产品的比例有所增加PVC人造革表面处理的方法和花样不断在求新求变,但是,以PVC泡沫人造革为主导产品的市场地位没有变更。 相似文献
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压延法聚氯乙烯牛津人造革生产工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
简要介绍了压延法生产PVC牛津人造革的生产工艺,其关键在于粘合剂和改性树脂的选择,及配方调整. 相似文献
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晶体电子通道花样的结晶学注释是电子通道花样分析与应用的基础。1980年廖乾初等提出的棺似原理分析法不仅成功地解决了立方晶系电子通道花样的快速注释问题,而且也为非立方晶系电子通道花样注释指出了方法原则。但当把相似原理分析法运用于非立方晶系时,仍有不便之处。相似原理分析法的基点在于把被测试样电于通道带之间的宽度比K 相似文献
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512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器 总被引:2,自引:0,他引:2
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。 相似文献
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4Cr5MoSiV1钢顶杆离子渗氮技术的研究 总被引:5,自引:2,他引:3
分析了4Cr5MoSiV1钢模具顶杆离子渗氮技术的难点。提出设置辅助阴极改善顶杆渗氮温度均匀性的对策。根本试验结果指出,只有以热分解为气源采用合适的温度与气压,才吹棒同杆达到均匀而有效的硬化效果。文中还讨论了顶杆离子渗氮的特性以及解决畸变问题的途径。 相似文献