35GHz微带耿氏振荡器

<正>微带振荡器采用封装耿氏器件,装配在26×4.1mm的Duroid介质上(ε_r=2.22,原度为0.254mm),同时考虑了封装电感、电容在毫米波频率下的影响,使用转换负载阻抗进行优化设计,制成了8mm微带振荡器及微带—波导转换器.初步实验结果为:在34.4GHz下,输出功率可达165mW.该振荡器具有较好的电性能及可靠性,具有应用前景.     

毫米波磷化铟体效应二极管

南京固体器件研究所采用In/PCI_3/H_2系统气相外延生长的n~+-n-n~+InP材料,采用适用于InP的Au-Ge-Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄衬底和光照刻蚀台面等工艺,制作了台式镀金热沉结构的毫米波段连续波体效应振荡二极管(见照片)。该器件有源区的掺杂浓度为7.35×10~(15)cm~(-3),厚度为2.85μm;台面直径约70μm,台面高度为15μm;管壳系无边缘同轴封装。用V波段同轴波导腔测试微波性能,得到的初     

毫米波InP耿二极管的设计和制作

本文简述毫米波InP耿二极管的设计、制作工艺和主要性能,分析了与GaAs耿二极管相比较的特点,制成了一批具有良好性能的器件.     

异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW

<正>当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。首先在n~+-GaAs衬底上用MBE     

1986年IEEE国际微波会议和微波毫米波单片电路会议概况

<正>1986年IEEE国际微波会议和微波毫米波单片电路会议于6月2日至5日在美国马里兰州巴尔的摩举行.这是国际微波学术界一年一度的盛会.自1982年起两个会议同时召开,今年已是第五次了.“微波沟通世界各国”(Microwaves Linking Nations)的主旋律贯穿会议始终,反映了微波在国际交往中的重要性.MTT-S会议发表论文183篇,MIMIC会议发表23篇,其中两个会议论文集同时刊登的有7篇.广泛的论文题材包括FET,HEMT,IMPATT,Gunn二极管,MIC,MMIC,放大器,振荡器,滤波器,耦合器,合成器,铁氧体,微波声学,静磁学,系统,有源和无源组件,波导,介质谐振器,倍频器,混频器,低成本制造,GHz/Gbit光传输,低噪声技术,光器件和传输,生物学效应和医学应用,分析和数值计算法,微带CAD,鳍线,微波测量等.     

毫米波InP体效应管的初步结果

<正>InP材料的某些优良特性使InP毫米波体效应器件对于GaAs器件具有明显的竞争潜力.由于InP材料具有峰谷比高、谷间散射时间短、饱和漂移速度大、电子扩散系数与迁移率之比较低、热导率较高等优点,因而有利于提高器件的工作频率、效率以及降低噪声.我们在GaAs体效应管的研制基础上,采用本所的InP单晶及外延材料,对毫米波InP体效应管进行了初步实验研究.     

GaAs／AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究

本文介绍了应用直接带隙ＧａＡｓ和间接带隙ＡｌＡｓ构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件，概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在８ｍｍ波段输出３２０ｍＷ连续波功率，最高振荡效率８％，脉冲工作时输出功率达２Ｗ，效率１０％，然后着重介绍该器件的振荡频率，输出功率随偏压的变化关系，突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构，由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。     

高性能U波段砷化镓体效应二极管

介绍了一种新型的高性能毫米波砷化镓体效应二极管,通过对材料、参数、工艺的优化与设计,较好地解决了高工作频率与高输出功率之间的矛盾,实现了器件性能的提升与突破。在U波段,最大连续波输出功率达180mW,最高转换效率约5%。