首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
无线电   4篇
  2020年   2篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
温涛  龚志红  邱国臣  亢喆 《红外》2020,41(2):11-14
锑化铟红外焦平面器件在杜瓦测试中常常会出现信号分层问题,影响了器件制造的成品率。通过对器件杜瓦测试电平图、管芯电流电压测试结果以及衬底掺杂浓度进行实验研究,定位了造成探测器信号分层问题的原因。进一步的理论分析也表明了锑化铟衬底上局部存在的高浓度掺杂区域对器件性能造成的影响。基于此研究,在芯片制备过程中可采取相应措施,最大限度地避免后道工序中的无效工作,进而提高锑化铟焦平面器件工艺线的流片效率。  相似文献   
2.
研究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。  相似文献   
3.
温涛  龚志红  邱国臣  亢喆 《红外》2020,41(1):11-14
锑化铟红外焦平面器件在杜瓦测试中常常会出现信号分层问题,由此影响器件制造的成品率。通过对器件杜瓦测试电平图、管芯电流电压测试结果及衬底掺杂浓度进行研究,找到了导致探测器信号分层的原因。进一步的理论分析表明,锑化铟衬底上局部的高浓度掺杂区域会对器件性能造成影响。基于此研究,在芯片的制备过程中可采取相应的措施,最大限度地避免后道工序中的无效工作,从而提高锑化铟焦平面器件工艺线的流片效率。  相似文献   
4.
亢喆  邱国臣 《激光与红外》2014,44(7):757-762
研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号