广东顺德工业企业走清洁生产之路的探讨

本文论述了清洁生产的基本概念和内涵，根据顺德工业企业发展的实际情况，提出了在顺德实施并推广清洁生产，并给出相应的建议和措施。     

纳米材料的合成与制备进展研究

从纳米材料合成和制备的角度出发,较系统的阐述了纳米材料合成与制备的最新研究进展,包括气相法,液相法及固相法合成与制备纳米材料;并介绍了纳米材料在高科技领域中的应用展望.     

采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN

随着多晶GaN材料发光研究的不断深入，大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势，成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本采用一种新的金属镓层氮化技术，使用无定形石英作衬底，在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明，生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好，并观察到针状的表面结构。     

采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN

随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用无定形石英作衬底 ,在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明 ,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好 ,并观察到针状的表面结构     

GaN基器件中的欧姆接触

GaN材料以其优良的光电性质，已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料。欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一。着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状。     

微乳化技术在纳米材料制备中的应用研究

本文介绍了微乳液的概念 ,及微乳反应器的原理、形成与结构 ,并进一步阐述了微乳反应器在纳米材料制备领域中的应用状况。     

AlGaN/GaN基HEMT器件的研究进展(英文)

由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功率放大领域的器件。着重对影响高频大功率AlGaN/GaN性能的材料结构和器件制作进行了阐述。     

微乳体系相行为研究及铂纳米微粒的制备

对十六烷基三甲基溴化铵 (CTAB) -正辛醇 -环己烷 -H2 O微乳体系相行为进行了研究。采用分光光度计测量了表观稳定的微乳体系的吸光度的变化 ;然后采用 3种CTAB与正辛醇配比的微乳体系在 30℃下制备出了Pt纳米微粒 ,还原剂为水合肼。经透射电镜分析得出 :溶水量较大的微乳体系可以制备出粒径较小 (d =3nm)且分布极为均匀的铂纳米微粒     

微乳反胶团体系在纳米超微颗粒制备中的应用

综述了微乳状液体系的应用现状，对微乳反胶团反应器的原理，形成与结构进行了研究与探讨，并进一步阐述了微乳反应器在纳米超微颗粒制备领域中的应用现状。     

壳层交联单体量对中空苯丙乳胶粒性能的影响

采用交联改性的原位聚合封装非溶剂法制备了粒径分布均匀、单分散性良好的中空苯丙聚合物乳胶粒,并采用凝胶率分析、粒径分析仪、黏度计、酸值测量、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见光分光光度计、差示扫描量热分析(DSC)表征考察了壳层中交联单体用量对中空聚合物乳胶粒的合成过程、形态及其干膜遮盖性的影响.结果表明,在其他条件不变的情况下,壳层中交联单体的含量(以其占总单体质量的百分数计,下同)小于15%时,含量越低,壳层强度越低,乳胶粒致孔膨胀时易于塌陷,粒径分布越大;壳层中交联单体含量大于20%时,含量越高,壳层强度越高,乳胶粒尺寸变小,膨胀变得困难;当壳层中交联单体的含量为15%~20%时,粒径分布均匀,壳层强度适中,膨胀性较好,此时含有中空乳胶粒的干膜遮盖性能最好.