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1.
一、K 孔位置度公差的考核方法原 K 孔安装尺寸按 JB684—65考核,现按 GB 4772—84《电机尺寸及公差》一律以K 孔位置度公差来考核。(一)位置度的定义、基准和公差值1.位置度的定义按 GB1183—80《形状和位置公差术语和定义》规定,孔的轴线必须位于直径为公差值φt,且以相对基准所  相似文献   
2.
介绍了两年多来产品采标验收工作的一些具体做法及工作中的一些体会,供各省市在产品采标验收工作中参考。并说明今后本行业产品达标按DF0812—85《中小型电机产品质量分等规定》合格品要求考核。  相似文献   
3.
对复杂多元Cu-Fe-P-Zn-Sn-Mg合金的冷加工特性进行研究,绘制其加工硬化曲线。通过测试不同退火态复杂多元铜合金的抗拉强度、伸长率及硬度,并进行显微组织观察,拟合出抗拉强度与退火温度、加工率之间的曲线,确定出合金的再结晶温度。结果表明,Cu-Fe-P-Zn-Sn-Mg合金具有明显的加工硬化特性,随着加工率的增加,该合金的抗拉强度和硬度增加,而伸长率则呈相反的变化规律。当加工率达到80%时,合金抗拉强度可达560 MPa,硬度可达160 HV。在相同的退火时间下,随着退火温度的增加,该合金的抗拉强度呈先缓慢减小,再剧减,最后趋于稳定的变化规律。合金在不同退火温度及加工率条件下,其抗拉强度与退火温度和加工率之间的关系符合y=(2.65ε+28.05)/[1+e^(x+1.62ε-503.04)/(0.006ε+19.06)]+0.22ε+307.68。为有效减少能耗和缩短生产周期,确定Cu-Fe-P-Zn-Sn-Mg合金经80%变形后的合理再结晶退火制度为450℃×1 h。  相似文献   
4.
随着电气设备技术的进步,对铝电解电容器的耐纹波电流提出了更高的要求,本文就特殊结构提高铝电解电容器的耐纹波电流作简要的介绍。  相似文献   
5.
CdCl2气相退火对CdS薄膜的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
对CdS进行CdCl2 后处理是制备高效率CdS/CdTe多晶太阳能薄膜电池的关键步骤。研究了CdS薄膜的CdCl2 气相热处理 ,用XRD、UV/Vis表征热处理前后薄膜的结构、晶粒尺寸及禁带宽度的变化。对比研究了有无CdCl2 处理的CdS薄膜的结构差异。首次发现在 410℃ ,无CdCl2 热处理的CdS膜出现金属镉。随退火温度的增加和退火时间的延长 ,薄膜的立方结构被破坏。退火温度高于 410℃ ,CdS的 (111)衍射峰强度急剧减弱 ,470℃退火 1h后几乎完全消失。  相似文献   
6.
为全面掌握Cu-Ni-Si-P合金的加工特性及再结晶的退火制度,并指导产业化生产,对Cu-Ni-Si-P合金的冷加工特性展开研究,且通过对不同厚度退火后试样进行抗拉强度、延伸率的测试和组织观察,确定出新型Cu-Ni-Si-P合金的再结晶退火制度.试验结果表明,Cu-Ni-Si-P合金具有明显的加工硬化特征;合金的抗拉强度随加工率的增大,呈先快速增大后趋于平稳的趋势,而延伸率和导电率,则呈现相反的变化规律;变形量越大,则相应的开始再结晶温度越低;综合优化出Cu-Ni-Si-P合金在80 %加工率的再结晶退火温度制度为460 ℃×1 h.   相似文献   
7.
用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m.通过透射光谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系.作为对异质结界面的修饰,提出了有Cd1-x-ZnxTe过渡层的CdS/CdTe/Cd1-xZnxTe/ZnTe∶Cu电池.并在相同工艺下制备了CdS/CdTe/Cd0.4Zn0.6Te/ZnTe∶Cu与CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太阳电池,发现前者比后者效率平均增加了35.0%.  相似文献   
8.
通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9.0μm GaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子,从而对其波导结构进行优化.计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响.给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度.  相似文献   
9.
一、基本情况根据国家标准局质量监督局和原机械工业部质量监督司的布置,要求中国中小型电机产品检测中心对小型同步发电机于今年一季度进行国家监督性抽查。这次抽了兰州电机厂、三波电机总厂、革新电机厂、闽东电机厂、无锡发电设备厂、泰安电机厂、宁波电机厂七家企业,另外抽了一家乡镇企业作考查性抽查,从被检厂个数来看覆盖面是不大的,但从所抽21台产品来看包括了三相、单相、有刷、无刷等同步发电机,所抽规格从3kW到120kW。  相似文献   
10.
近空间升华法制备CdTe薄膜   总被引:10,自引:2,他引:8  
研究了初底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液,可促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。  相似文献   
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