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为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性. 相似文献
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隧道带间耦合级联新型激光器扩展电流的优化 总被引:1,自引:0,他引:1
隧道带间耦合级联激光器采用C掺杂生长隧道结,由于高浓度C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层,增加了注入电流的横向扩展,使激光器的性能不能充分发挥出来。我们利用双面电极新型结构可以很好地克服横向电流扩展,使级联的激光器保证充分的光输出功率,具体是在常规激光器背面衬底做完全与正面电极相同而对中的电极,当加入电场后,使电场完全集中在这两个相对中的电极之间,使激光器注入的电流从正面电极完全不扩展地流入到背面衬底电极,保证每个有源区都注入相同的电流而保证每个有源区充分的光输出。对4个有源区级联的激光器光输出功率较常规电极提高70%以上,输出光功率从1.6W提高到2.4W,斜率效率提高70%以上。 相似文献
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7.
MEMS 技术是一项新兴的微细加工技术,已开始在各领域有了广泛应用。它可将信息获取、处理和执行等功能集成为一体化的微电子机械系统(MEMS) 或微光电子机械系统
(MOEMS) ,具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等特点,因此也开始被红外技术领域所采用,为该领域研究提供了一条新途径。文中简要介绍了MEMS 技术的主要特点和工艺,并对MEMS 技术在红外器件研制方面的应用作了详细叙述。 相似文献
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9.
量子阱半导体激光器P—I特性曲线扭折的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后,其P-I特性曲线可能偏离理想的线性区,出现扭折现象,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计,采用较窄的有源区,在MOCVD结构生长中用碳作P型掺杂,制造出来的未镀膜激光器在100mA注入电流下输出光功率50mW未出现P-I特性的扭折。 相似文献
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