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1.
郑国珍 《机电信息》2011,(32):53-55
从标准的概念入手,阐述了标准的特性和在经济发展中的重要作用,论述了标准化对制药机械企业发展的重要性以及对我国实现医药工业现代化所起到的保障作用。  相似文献   
2.
工会是职工为维护自身利益而建立的具有自治性的社团组织。劳动者事实上的弱势地位,客观上需要工会维护其合法权益。但由于工会组织自身存在的问题,其职责没有得到真正的履行。这就需要认真采取改进措施,提升工会的战斗力,使其在维护劳动者权益方面发挥应有的作用。  相似文献   
3.
郑国珍 《机电信息》2010,(20):40-42,48
从简述中药前处理中的净制、切制、炮炙、粉碎入手,叙述了中药前处理的设备选择与要求,同时也简析了中药提取、浓缩设备。  相似文献   
4.
在温度4.2~77K、磁场强度0~5T、不同电场强度条件下,对不同参数材料的样品进行了物理测试。在低温、弱电场下即欧姆电场区,以横向磁场和温度作为可变外界条件,采用平衡法,测得N型InSb样品在“磁冻出”状态下霍尔电压和电阻电压随温度的变化,利用“磁冻出”区的磁阻和霍尔效应求得导带电子浓度随温度的变化。且利用Putley的导带电子浓度与温度、磁场强度和材料掺杂量的关系式,求得N型InSb材料的补偿度。  相似文献   
5.
6.
在0.3-4.2K温度范围,测量了n-Hg1-xCdxTe(x=0.195)在磁量子极限后的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔系数.观察到了磁致金属-绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹"HalldiP".基于电子在浅施主杂质态上磁冻结的模型,讨论了磁致金属-绝缘体相变的机理及其温度效应和"Halldip"的起因.  相似文献   
7.
本文根据X射线形貌相、扫描电镜和金相显微镜的实验结果和有关位错、相图的理论,分析了位错和亚晶界、亚晶界和X射线形貌相的关系以及住错对布里奇曼技术生长的HgCdTe体晶结构完整性的影响。因位错降低能量的要求,HgCdTe体晶中的密度位错要形成亚晶界和三维位错网络等亚结构。在X射线形貌相中,亚结构的取向衬度是比位错直接象更强的成象机构。正常凝固长晶过程中HgCdTe材料的组分要变化,并使其固液界面的温度梯度也发生相应变化,由此引入的热应力在结晶过程中会在HgCdTe晶体中产生高密度位错。位错形成的亚晶界和三维位错网络等亚结构严重破坏了BridgmanHgCdTe体晶结构完整性,这使其X射线形貌相往往不好。  相似文献   
8.
在测量磁阻振荡的直流法中,加一级差分放大,可显著提高分辨振荡峰的本领,因而可以用较低的磁场研究电子浓度为 10~(15)cm~(-3)数量级的 n-InSb的磁阻振荡.这一方法适用于纵向磁阻振荡的研究.在液氦温度到10K的范围内,测量了四个n-InSb样品.从振荡频率得到载流子浓度,与霍尔效应的结果相符.从振荡峰的幅度-温度关系得到导带底的电子有效质量m~*=0.0137m_o. 从振荡峰与温度及外加电场的变化关系中,可求得样品的 Dingle温度及过热电子温度.在4.2K-7.2K温度范围内Dingle温度不变.在实验所用的电场下过热电子温度可达到14K.  相似文献   
9.
对零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的物理性质,近来有了比较多的研究。因为这些材料将出现半导体、半金属相变,同时,当禁带趋于零时,杂质或缺陷能级将进入能带,对受主形成受主共振态。在4.2~300K温度范围内,我们测量了零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料输运参数随温度的变化关系,发现在nT~(-3/2)-1/T曲线上有一个明显的转折点,对应的温度和组份与褚君浩等  相似文献   
10.
郑国珍 《红外技术》1999,21(6):1-5,11
简要介绍本实验关于Hg1-xCdxTe的经典输运和量子输运行为的研究。  相似文献   
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