二维光子晶体对耦合波导激光器侧模的调制研究

利用光子晶体的自准直效应来调制耦合波导激光器的侧模,并用时域有限差分（FDTD）方法对五通道和九通道耦合波导激光器进行仿真,成功改变了模式的传播方向,使得相邻光场之间的相位差从兀变为零。在两种耦合波导结构中分别获得了远场发散角为12°和7°的单峰,既兼顾了激光器的稳定性,又得到了高质量的光束。     

新型III-V族变形微盘硅基混合激光器

文章中,我们设计了一种连接一个Si的输出波导的新型III-V族变形微盘硅基混合激光器,并通过BCB键合技术以及标准光刻将其制备。相比于传统圆形微盘激光器,该激光器实现了激光从硅波导的定向发射以及单纵模输出。实验上,在连续电流操作下,我们获得了0.31 mW的输出功率以及27 dB的边模抑制比。     

用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力

在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.     

量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响

计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．     

基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器

描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究.主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较.理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阈值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致.     

Low Threshold GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Lasers

ＬｏｗＴｈｒｅｓｈｏｌｄＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤｏｕｂｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌＬａｓｅｒｓ￥ＸｕＺｕｎｔｕ（徐遵图），ＺｈａｎｇＪｉｎｇｍｉｎｇ（张敬明），ＹａｎｇＧｕｏｗｅｎ（杨国文），ＸｕＪｕｎｙｉｎｇ（徐俊英），ＸｉａｏＪｉａｎｗｅｉ（肖建伟...     

低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．     

Holmium-doped Porous Silicon Prepared by a New Electrochemical Approach and Its Photoluminescence

Ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ（ＰＳ）ｗａｓｆｏｕｎｄｔｏｅｍｉｔｖｉｓｉｂｌｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｂｙＣａｎｈａｍｉｎ１９９０［１］．Ｔｈｉｓｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎｉｍｐｌｉｅｄａｐｏｔｅｎｔｉａｌａｐｐｌｉｃａｔｉ...     

VCD和DVD用全息光栅衍射效率的分析

在VCD和DVD中由于使用了全息光学元件,全息光学读出头的元件数量比传统光头的元件数量少.分析了光盘信号探测、聚焦、循迹原理.推出了光栅衍射效率的一般计算公式,并给出了光栅沟槽形状为"方波”时光栅衍射效率的计算公式,由此计算出了VCD和DVD实用的全息光学元件的蚀刻深度.     

VCD和DVD用全息光栅衍射效率的分析

在 VCD和 DVD中由于使用了全息光学元件 ,全息光学读出头的元件数量比传统光头的元件数量少 .分析了光盘信号探测、聚焦、循迹原理 .推出了光栅衍射效率的一般计算公式 ,并给出了光栅沟槽形状为“方波”时光栅衍射效率的计算公式 ,由此计算出了 VCD和 DVD实用的全息光学元件的蚀刻深度