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1.
Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性 总被引:5,自引:1,他引:4
利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2 at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47e19cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3 at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降. 相似文献
2.
3.
4.
桂中坳陷及周缘海相地层油气保存条件 总被引:1,自引:0,他引:1
桂中坳陷及周缘原始生油条件优越,但经历多期构造运动,油气保存条件受到严重破坏,因此油气保存条件成为制约本区勘探决策的关键因素之一。笔者从动态演化角度对盖层、构造作用以及盆地构造演化过程中油气保存条件演变的地下水化学-动力学行为响应特征等与油气保存条件有关的几个方面进行了综合研究。桂中坳陷及周缘主要发育下、中、上泥盆统和下石炭统4套泥质岩盖层,盖层封闭性属中等-好,且坳陷东部泥质岩更发育。燕山运动与喜马拉雅运动使得桂中坳陷东部、东南部遭受强烈抬升和剥蚀,断裂发育,大气水下渗强烈且范围广、持续时间长,而对坳陷中西部影响较弱。现今坳陷中西部地层埋深小于800m的浅部地层,大气水下渗作用强烈,地层水普遍为低矿化度水,属于自由交替带;800m以下地层进入交替阻滞带,油气保存条件逐渐变好,推测交替停滞带在2000m以下。坳陷东部和东南部大气水下渗深度更大。总体上,桂中坳陷及周缘现今油气保存条件整体已受到了一定的破坏,坳陷中西部相对较好。 相似文献
5.
报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。 相似文献
6.
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8.
通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的 相似文献
9.
前言对于汽车起重机的支腿反力,有多种计算方法,但到底哪一种更为合理准确,至今没有一个共同的看法。过去确定支腿反力时,大多把底架当作绝对刚性或绝对柔性的,按简单的静力平衡条件计算。这不但对底架的实际支承情况不清楚,而且会经常出现支腿反力与支承条件不相符合的现象,以致给计算结果带来较大错误。本文介绍一种用经典的结构力学计算支腿 相似文献
10.
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量. 相似文献