多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证     

多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证.     

φ76mm GaAs有源器件模型库

采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术,建立与φ76mm GaAs工艺线直接结合的GaAs器件(MESFET,PHEMT)的MMIC CAD适用器件模型及模型库,并通过对不同种类GaAs MMIC的设计研制进行了验证与改进,模拟结果和测试结果基本一致.目前此模型和模型库已用于φ76mm GaAs工艺线上多种微波GaAs单片的设计研制.     

In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的空穴输运特性,据此原理研制的器件可在室温下工作,其实结果为：室温下,饱和电流Idss=61mA/mm,跨导gm=41mS/mm,77K下,饱和电流Idss=94mA/mm,跨导gm=61mS/mm,预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益,因而具有良好的应用潜力。     

Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验

通过分析微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行ＭＭＩＣ精确设计的有效途径，着重分析了在软件中如何建立三类ＭＭＩＣ用元件（有源器件、无源元件及由ＭＭＩＣ工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法，借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ｋｕ波段两级ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与ＣＡＤ设计值十分相近的实验结     

宽带GaAs三栅MESFET开关模型

提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好.     

φ76mm GaAs有源器件模型库

采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术,建立与φ76mm GaAs工艺线直接结合的GaAs器件(MESFET,PHEMT)的MMIC CAD适用器件模型及模型库,并通过对不同种类GaAs MMIC的设计研制进行了验证与改进,模拟结果和测试结果基本一致.目前此模型和模型库已用于φ76mm GaAs工艺线上多种微波GaAs单片的设计研制.     

制造纳米电子器件的技术途径

目的 为发展纳米电子年及纳米电子学技术寻找有效途径。方法 对目前制造纳米电子器件的主要途径,例如基于三束的光刻加工技术、分子组装与纳米微粒排列技术、扫描力探针加工技术等进行了概略的介绍。讨论了各种方法所存在的优势与限制。结果 对基于分子组装与纳米光刻的纳料制造技术给予很大的重视。结论 认为综合若干种技术之长可能是我们目前实现特定纳料器件制造的有效途径。     

全自动在片直流测试技术对提高GaAs MMIC批量生产成品 …

成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试，对参数进行统计分析，能判断成品率是否正常，并帮助找出影响成品率的原因，本文介绍了行之有效的测试统计和分析技术。     

宽带GaAs MESFET开关模型

提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 ,器件测试值与模型模拟值吻合较好