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1.
Recently there has been a rapid domestic development in groupⅢnitride semiconductor electronic materials and devices.This paper reviews the important progress in GaN-based wide bandgap microelectronic materials and devices in the Key Program of the National Natural Science Foundation of China,which focuses on the research of the fundamental physical mechanisms of group III nitride semiconductor electronic materials and devices with the aim to enhance the crystal quality and electric performance of GaN-based electronic materials, develop new GaN heterostructures,and eventually achieve high performance GaN microwave power devices.Some remarkable progresses achieved in the program will be introduced,including those in GaN high electron mobility transistors(HEMTs) and metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors(MOSHEMTs) with novel high-k gate insulators,and material growth,defect analysis and material properties of InAlN/GaN heterostructures and HEMT fabrication,and quantum transport and spintronic properties of GaN-based heterostructures,and highelectric -field electron transport properties of GaN material and GaN Gunn devices used in terahertz sources.  相似文献   
2.
本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有(100)和(110)晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50:8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明:制作在(110)晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。  相似文献   
3.
邸志雄  史江义  郝跃  逄杰  刘凯  李云松 《电子学报》2012,40(11):2158-2164
传统的JPEG2000MQ编码器串行编码效率低下,同时现有的多上下文并行编码的MQ编码器占用资源过大.本文对MQ编码算法中的运算流程,索引值和概率估计值的求解函数,条件交换和重归一化算法等四个方面进行了优化,减弱了上下文之间的依赖性,简化了条件交换和重归一化算法的复杂度.依据该算法,本文提出了一种高速的MQ编码器VLSI结构,实验结果表明,本文提出的MQ编码器VLSI结构能够工作在532.91MHz,吞吐率为532.91 Msymbols/sec,相比Dyer提出的Brute force with modified结构,工作频率提高1倍,吞吐量提高近27%,且面积仅为其四分之一.  相似文献   
4.
陈炽  郝跃  杨凌  全思  马晓华  张进程 《半导体学报》2010,31(11):114004-6
对100um和1mm碳化硅衬底的氮化镓器件进行直流特性,小信号特性和大信号特性的表征。100um和1mm器件小信号特性测试结果发现,随栅长增大,由于电容寄生效应的减小,电流截止频率fT增大。从数据看出,器件可用在C波段和X波段。大信号测试包括C波段和X波段负载牵引测试和功率扫描测试。器件偏置在AB类工作点,并且选定源端阻抗,做负载牵引测试。在负载牵引园图上,最大功率阻抗点和最佳效率阻抗点可以确定。根据5.5GHz的不同栅长的器件的功率扫描结果分析器件尺寸变换效应与和大尺寸器件的自热效应密切相关。8GHz 不同漏极偏置的器件的功率扫描结果说明碳化硅衬底的氮化镓器件有好的热导率,高击穿电压和10.16W/mm 功率密度。从分析可证明碳化硅衬底的氮化镓器件是放大器设计的理想材料。  相似文献   
5.
Nonpolar (1120) a-plane GaN films have been grown by low-pressure metal-organic vapor deposition on r-plane (1102) sapphire substrate. The structural and electrical properties of the a-plane GaN films are investigated by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM) and van der Pauw Hall measurement. It is found that the Hall voltage shows more anisotropy than that of the c-plane samples; furthermore, the mobility changes with the degree of the van der Pauw square diagonal to the c direction, which shows significant electrical anisotropy. Further research indicates that electron mobility is strongly influenced by edge dislocations.  相似文献   
6.
采用1.25Mev 60Co γ射线辐射源对钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行了1Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现:1Mrad总剂量辐射后未钝化器件的饱和漏电流和最大跨导分别下降了15%和9.1%,而且正向和反向栅电流明显增加,但是阈值电压几乎没有发生变化。相反的,同样的累积剂量下,钝化器件的饱和漏电流和最大跨导却基本没变。通过对钝化前后器件的不同辐射反应以及C-V测试的分析表明,栅-源和栅-漏间隔区辐射感生表面态负电荷的产生是低剂量下AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因,同时也说明钝化可以有效地抑制60Co γ辐射感生表面态电荷,它是一种有效的加固手段。  相似文献   
7.
段焕涛  郝跃  张进成 《半导体学报》2009,30(9):093001-4
研究了以间歇供氨的方法直接高温生长的氮化铝为缓冲层的AlGaN/GaN材料,高温氮化铝的应用可以有效的提高晶体质量和表面形貌,并且二维电子气的浓度和迁移率也得到改善。  相似文献   
8.
The effect of a high temperature AlN buffer layer grown by the initially alternating supply of ammonia (IASA) method on AlGaN/GaN heterostructures was studied. The use of AlN by the IASA method can effectively increase the crystalline quality and surface morphology of GaN. The mobility and concentration of 2DEG of AlGaN/GaN heterostuctures was also ameliorated.  相似文献   
9.
10.
本文利用自主研制的SiC 衬底的,栅宽为2.5mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了X波段氮化镓合成固态放大器模块。模块由AlGaN/GaN HEMT器件,Wilkinson功率合成/分配器,偏置电路和微带匹配电路构成。为了使放大器稳定,在每一路放大器的输入端和输出端加入了RC 稳定网络,在栅极和直流输入之间加上稳定电阻,并且利用3/4 λ 枝接的威尔金森功率合成/分配器,从而有效消除其自激和低频串扰问题。在连续波条件下(直流偏置电压为Vds=27V,Vgs=-4.0V),放大器在8GHz频率下线性增益为5dB,最大效率为17.9%,输出功率最大可为42.93dBm,此时放大器增益压缩为3dB。四路合成放大器的合成效率是67.5%。通过分析,发现了放大器合成效率的下降是由每路放大器特性的不一致、功率合成网络的损耗以及电路制造误差所造成。  相似文献   
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