关于有源配电网接地方式的探讨

中性点接地方式选择是配电系统安全经济运行的基础问题,常规配电网中各种接地方式的技术特点已有明确结论,有效接地和非有效接地均有广泛应用。对于分布式电源(DER)大量接入的有源配电网,其接地方式将由主网和DER共同决定。且在DER并网与脱网不同运行状态、故障后主网保护与反孤岛保护等不同处理阶段中,系统接地方式可能存在转换,给故障电流、过电压以及衍生的供电可靠性、人身安全带来更为复杂的问题,有源配电网的中性点接地方式选择问题需要重新审视。     

含分布式电源的小电阻接地方式配电网单相接地故障分析

不同接地方式分布式电源(DG)并网将影响系统单相接地故障电流特征,对于小电阻接地方式配电网,DG接地方式选择较为灵活,对接地故障电流的影响尤为复杂。针对小电阻接地方式配电网,建立了旋转型DG并网后的接地故障分析模型,分析了并网DG采用不同接地方式时接地故障点电流、线路三相故障电流与线路正序、负序、零序电流的特征。结果表明,不接地方式DG对接地故障电流基本无影响;但DG采用直接接地、小电阻接地方式时,各故障电流将明显增大或减小,甚至从无到数百安培,将会影响系统原有接地保护与三相保护性能。研究成果可为含DG小电阻接地方式配电网的保护配置与DG接地方式选择提供理论依据。     

低温生长AlGaAs／GaAs多量子阱中的超快过程研究

半导体材料无论在应用领域，还是在基础研究中都有重要的意义，对其中超快过程的研究近年来已成为研究的热点之一．低温生长的AlGaAs／GaAs多量子阱材料具有超短的非平衡载流子复合寿命，广泛应用于超快光学元件中．我们利用飞秒激光泵浦一探测技术对其中的超快过程进行了研究。     

As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响

在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm     

n型AlxGa1-xN材料的电学和光学性质

文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型A lxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V.s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明A lxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。     

空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展

文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先，介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况，包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷；然后，评述了目前在空间使用的紫外探测器状况，以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器；最后，对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。     

高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长，衬底为双面抛光的蓝宝石，缓冲层为AlN，n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层，i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN，p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面，光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段，响应区域为310~365 nm，在360 nm处响应率最大，为0.21 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到82％；优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2，对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1；且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。     

AlN外延薄膜的生长和特征

文章研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ／Ⅲ比的研究，制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出AlN薄膜的(002)和(105)的半高宽分别为16．9arcsec和615arcsec，接近国际上报道的较好结果。原子力显微镜对表面形貌的分析表明AlN薄膜的粗糙度为5．7nm。拉曼光谱表明E2(high)模向高能方向移动，说明蓝宝石上外延的AlN薄膜处于压应变状态。光学吸收谱在204nm处具有陡峭的带边吸收，也表明了AlN外延薄膜具有较好地晶体质量。     

一类三次Hamilton系统的Abel积分的渐近性态

当今分岔理论研究的热门课题之一,是确定Abel积分I(h)的零点个数上界问题.这一问题和确定Hamilton向量场在多项式扰动下的极限环个数有着密切关系.而求得I(h)在定义域端点的渐近展式,对研究I(h)的性质起着重要作用.这里利用常微分方程解析理论,讨论一类三次Hamilton系统在三次多项式扰动下的Abel积分的渐近性态,求得I(h)在定义域端点的渐近展式.     

掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能