柱状多层磁纳米线的畴壁结构

使用微磁学方法仔细分析了柱状多层纳米线畴壁的轴向和径向分布.在轴对称的情况下,通过适当改变各向异性能的形式,得到了柱状多层纳米线畴壁的径向分布欧拉方程的一个解析解.数值计算说明,此解析解可以给出合理的畴壁分布.     

激光磁头和超快磁记录原理及研究进展

光与磁性物质的相互作用研究最近几年得到突破性进展,建立在飞秒激光技术基础之上的超快磁记录显示出很大的潜力。本文综述了激光诱导的超快磁动力学、全光磁记录技术的基本原理和研究进展情况,重点关注了激光与磁性物质的作用机制,比如三温度模型以及电子、晶格、自旋相互作用的微观理论,并对存在的问题进行了分析和讨论。     

In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/GaAs应变量子阱中电子和空穴能带的组分调制1

本文采用模型固体理论计算了In1-xGaxAsyP1-y/GaAs应变量子阱中电子和空穴的能带结构,研究了组分对能带的调制作用.结果表明,In1-xGaxAsyP1-y/GaAs量子阱的能带类型及带隙依赖于阱材料In1-xGaxAsyP1-y的组分。当y=1.0,x在0~1.0范围时,量子阱In1-xGaxAsyP1-y/GaAs的能带为类型Ⅰ;当y=0.6,x在0.32~1.0范围时,量子阱的能带为类型Ⅱ。即通过调整阱材料组分,可以方便实现这种量子阱的能带转型(即类型I-类型Ⅱ的转变)。     

应力对铁磁薄膜磁性质的影响

应力对铁磁薄膜磁性质的影响是一个古老的话题。近年来,随着实验技术手段的不断进步,利用应力来调控磁性材料的宏观性质变得越来越方便,应力工程发挥出越来越重要的作用。本文简单综述了铁磁薄膜应力各向异性研究的建模、应力对矫顽力、磁滞损耗、磁致伸缩系数等性质的影响的研究进展以及存在的问题。由于垂直各向异性材料具有巨大的应用潜力,应力导致的垂直各向异性研究成为人们目前关注的热点。高分辨率的磁力显微镜等实验技术的应用,为理解一些系统中垂直各向异性的起源及与应力的关系提供了帮助。     

Jiles-Atherton模型及其应用

Jiles-Atherton(JA)模型由于具有计算简单、稳定方便、物理意义明确的优点,在压电材料、磁致伸缩材料、形状记忆合金为代表的新型智能材料的建模方面具有重要应用。但JA模型具有一些本质弱点,比如,它是一个非物理的模型,而且由于是标量模型,不能处理各向异性。针对这些缺点许多作者做了大量改进工作。本文将对这些工作简单综述。还介绍了JA模型的2个主要应用:磁滞控制和磁二相系统的建模;介绍了JA模型以及JA逆模型的基本方程以及磁滞系统的逆补偿控制的基本概念和方法。对于JA模型用于磁二相系统的建模的优缺点也作了评述。     

高密度磁记录介质的稳定性问题及研究进展

信息技术的不断发展,使人们对信息存储密度的要求不断提高。但随着记录密度的提高,单位信息位越来越小,晶粒尺寸也越来越小,磁记录介质的稳定性或抗干扰问题也引起了人们的关注。本文介绍了高密度磁记录介质的稳定性问题及研究进展,特别是利用损伤扩散方法研究高密度磁记录介质稳定性的基本思想、目前取得的主要结果、面临的问题和可能的解决办法。     

一维关联无序系统中电子态的研究

本文讨论了长程幂率关联对一维无序系统本征波函数,本征能量及并发纠缠的影响,并观察其是否能体现系统局域性的变化。结果表明只用并发纠缠这个测度足以反映空间关联的特性。还将DNA分子链作为关联安德森模型的例子,研究其准周期模型与无序模型的并发纠缠,并证明了并发纠缠与关联有类似性质,足以通过并发纠缠这个测度来反映关联的特性。     

磁记忆效应及研究进展

迟滞回线及其蕴含的记忆效应是弹性材料和电磁材料共有的一个性质。这个性质对于理解迟滞起源以及材料的力学、电学和磁学性质有很大帮助,在存储器制造、高精度纳米定位等领域有着十分重要的应用。目前在这方面还缺乏系统的研究和总结。本文从自旋玻璃的概念出发,简述了磁记忆效应的基本概念和基本理论模型以及其和磁滞回线的关系。综述了记忆效应在磁性材料及其他领域的研究进展情况。     

磁纳米线阵列交换偏置研究

讨论了磁纳米线阵列中静磁相互作用导致的交换偏置问题。采用伊辛模型并利用蒙特卡洛方法比较了三角点阵纳米线阵列上不同反转比下的静磁相互作用能和形状各向异性能的大小。根据斯通纳-沃尔法斯模型,交换偏置场主要来自偶极相互作用场。计算表明,交换偏置场随反转比增大相比最大值下降很快。纳米线长度涨落对体系的交换偏置影响很小。分析了实验中对实际纳米线阵列观察不到明显交换偏置现象的原因。