基于Loeffler算法的2-D DCT IP软核设计

提出一种基于Loeffler算法的2-D DCT IP软核设计方法.用移位和加法运算代替乘法运算.为减少芯片占用面积,对乘法系数采用CSD编码,1-D DCT复用技术;为提高电路的速度,采用流水线结构,优化转置矩阵.基于上述算法,设计了用Verilog HDL语言描述的IP软核.对软核进行了编译、综合、布局布线和后仿真,验证了算法的正确性.实验结果显示最高工作频率可以达到139.43MHz,能够满足视频图像压缩的实时性要求.     

温度和工艺参数浮动下双阈值footed多米诺电路的漏电流特性

考虑到温度和工艺参数浮动的影响,对休眠双阈值footed多米诺电路的漏电流特性进行了系统的量化研究和比较,得到了不同温度下的最佳休眠状态.基于65和45nm BSIM4模型的HSPICE仿真表明:与业已提出的CHIL(时钟为高,输入均为低电平)状态和CHIH(时钟和输入均为高电平)状态相比,本文提出的CLIL(时钟和输入均为低电平)状态更有利于减小低温下电路的漏电流和高温下的多扇人电路的漏电流.而且,分析了工艺参数的浮动对双阈值footed多米诺电路的漏电流特性的影响,并给出了温度和工艺参数浮动下,双阈值footed多米诺电路漏电流最小的休眠状态.     

温度和工艺参数浮动下双阈值footed多米诺电路的漏电流特性

考虑到温度和工艺参数浮动的影响，对休眠双阈值footed多米诺电路的漏电流特性进行了系统的量化研究和比较，得到了不同温度下的最佳休眠状态.基于65和45nm BSIM4模型的HSPICE仿真表明：与业已提出的CHIL（时钟为高，输入均为低电平）状态和CHIH（时钟和输入均为高电平）状态相比，本文提出的CLIL（时钟和输入均为低电平）状态更有利于减小低温下电路的漏电流和高温下的多扇入电路的漏电流.而且，分析了工艺参数的浮动对双阈值footed多米诺电路的漏电流特性的影响，并给出了温度和工艺参数浮动下，双阈值footed多米诺电路漏电流最小的休眠状态.     

用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性结果的比较

报道了分别用三带和全带模型蒙特卡罗方法模拟纤锌矿相GaN体材料输运特性的结果,并对基于两种模型的模拟结果进行了比较.在低场区,基于两种模型获得的输运特性基本相同,但在高场区却表现出明显的差别.这是因为在高场区,电子平均能量较高,多数电子处于能带图中的高能态位置,电子能量与波矢量的关系表现出明显的非椭圆特性.由于三带模型假定了能量与波矢量简单关系,故算得的平均能量,高于由全带蒙特卡罗模拟算得的能量.从而导致其它特性的差别.全带模型包含了基于能带理论算得的能带结构的所有特性,故模拟结果更加精确.     

基于WinCE系统的FIFO数据传输程序设计

以研华 MIC-2718型数据采集板为例,介绍了采用先进先出(FIFO)技术在Windows CE.net环境下实现高速实时数据采集系统的主要方法,详细分析了从FIFO缓冲区写入和读出数据的整个过程.本设计中使用FIFO技术既提高了数据采集板的工作效率,又保证了数据采集的可靠性,经过测试,效果良好.     

Si／Si1—xGex应变层异质结双极晶体管（HBT）交直流特性的仿真研究

本报道了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变异质结双极晶体管（ＨＢＴ）交直流特性的仿真结果，通过用叠代法求解漂移－扩散方程的数值解，确定器件的直流特性，再利用瞬态激励法，求解器件的交流特性参数，将基区Ｇｅ摩尔含量ｘ为０．２，０．３１的ＨＢＴ的模拟结果分别与有关献报道的实验结果进行了比较，两的结果符合良好。     

基于Win CE.net6.0的DCS监控系统设计与实现

以PC机作为上位监控机,双容水箱系统作为被控对象,采用研华MIC-2000系列工控机及其板卡为系统硬件,基于WindowsCE.net 6.0嵌入式实时操作系统开发DCS监控系统.系统在OPC技术规范之上利用工业组态软件"组态王"设计人机界面,通过Internet实现上位机与现场控制站的信息交互,同时加入PID控制算法...     

Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

利用聚焦的Ａｒ＋激光束诱导的方法,实现了对浸入ＨＦ∶Ｈ２Ｏ（１∶２０）腐蚀液中的Ｎ型单晶Ｓｉ样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是一种由光生电子空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构。腐蚀特性与入射激光功率以及Ｓｉ掺杂浓度有关。应用激光诱导无电极电化学腐蚀电路模型对实验结果进行了合理的解释。     

ZnO材料的电子输运特性

用全带Monte Carlo方法模拟了纤锌矿Zn O材料电子的稳态和瞬态输运特性.稳态输运特性包括稳态平均漂移速度-电场特性、电子平均能量-电场特性和在不同电场下电子按能量的分布.在平均漂移速度-电场特性中发现了微分负阻效应.Zn O的瞬态输运特性包括平均漂移速度-位移关系曲线、渡越时间-位移关系曲线等.在平均漂移速度-位移关系曲线中发现了过冲现象,这种现象是电子从低能谷到高能谷跃迁过程中的弛豫时间产生的.     

基于SOPC的SPWM脉冲发生器的实现

针对逆变控制领域的需求,采用自然采样法设计一个基于SOPC的SPWM脉冲发生器。在系统中,结合DDS数字频率合成技术产生正弦调制波。使用Verilog语言编程实现可逆计数器,利用可逆计数器形成一个完整的三角波。然后将同一时刻的正弦函数值与三角函数值相比较,形成一路脉冲调制波。最后为防止同相桥臂功率器件的同时导通,经过死区延时部分,形成最终的SPWM脉宽调制波。基于SOPC系统的SPWM脉冲发生器既简化电路设计,又提高系统的可靠性、精确性,并通过实验验证实该系统设计的有效性、稳定性。