SF6/O2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率。     

光致硅微悬臂梁形变理论研究

研究了硅悬臂梁的光致应变效应的基本理论.从力学和半导体物理学基本理论出发,考虑了光生载流子的空间分布以及载流子表面复合,提出了一种新的光致悬臂梁弯曲的模型和计算光致应变效应引起的悬臂梁弯曲量的方法.模型更为合理的解释了光致悬臂梁弯曲的根本动力,其计算结果和实验测量结果与文献报道相比更为接近.研究为基于光致应变效应的硅悬臂梁传感器打下了理论基础.     

热气冷却器液位测量改造

针对三聚氰胺厂热气冷却器液位测量装置——双法兰膜盒式变送器在测量高温道生油液位时凸显的弊端,分析其产生误差的原因,通过对变送器测量方式的改造,成功解决了问题,稳定了生产。     

氢离子注入GaAs晶片表面剥离机理

为了更深入的了解GaAs经氢离子注入后的剥离特性,实验研究了GaAs晶片经6×1016 /cm2剂量氢离子以不同能量注入,再经过不同温度和不同时间的退火过程后,晶片表面的剥离情况.研究表明:注入能量小的晶片较容易表面剥离,当注入能量大到一定程度,表面将不会出现剥离的现象;在相同的注入能量情况下,GaAs晶片的表面剥离随着退火温度的升高、退火时间的增加变得更加的显著.晶片在300 ℃下退火后,未发现有剥离现象,实验发现GaAs的临界剥离温度在300-400 ℃之间.研究结果有助于优化GaAs/Si异质结构材料的智能剥离制备工艺.     

锅炉除氧器液位调节系统改进

我公司40 t/h锅炉为NBC公司产品,其除氧器容积为36.5 m3,采用热力除氧,除氧器液位靠LIC101进行控制,出除氧器的精制水送锅炉汽包。原液位调节系统中调节器采用的是气动浮筒液位调节器,时常出现自动控制失效情况,遇此情况司炉工只能采用手动控制。虽然除氧器设有就地液位计(为地磁翻板液位计),但位置在3楼顶,而操作室在1楼,给司炉工确认液位和操作带来困难,对安全生产也是极大的隐患: