快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管

本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。     

半导体激光器的低频电噪声谱密度和器件的可靠性

本文给出了半导体激光器的低频电噪声谱密度和器件可靠性关系的实验结果。     

电导数测试用于大功率半导体激光器的快速筛选

对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论,指出ｍ,ｈ,ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。     

有机半导体电注入激光器

有机半导体激光器实现了从光泵浦到电泵浦。回顾了有机半导体激光器从光泵浦到电流入的发展过程。概述了有机半导体材料产生激光的特性,介绍了贝尔实验室第一个有机固态电注入型激光器的工作原理,提出了在器件结构上的一些新设想。     

半导体激光器电流-电压特性导数测量技术

本文阐述了导数测量技术的原理、方法,并用导数测量技术测量了InGaAsPDH激光器的阈值电流、串联电阻、结的特征参量等.     

半导体激光器热阻测量仪

本文介绍正向压降法测量热阻的原理、仪器线路设计思想和调试、测量结果.这种仪器操作简单、读数方便、结果可靠.     

并四苯晶体的物理气相沉积

设计了水平沉积系统,物理气相生长了并四苯晶体。仅用10－30mg的源,得到了面积达20mm^2的片状晶体。报道了可重复性的晶体生长条件。测试表明,晶体表面光滑,结构非常有序。     

半导体激光器光输出噪声测量及与电噪声的相关性

采用互谱估计方法测量了半导体激光器的微弱电噪声谱及光噪声谱。结果表明两者在超辐射区有较强的相关性。对光噪声的形成机理分析证明由载流子起伏形成的光噪声与电噪声完全相关，而由外量子效率起伏引起的光噪声与电噪声是不相关的。     

一个检测半导体激光器质量的有效方法

对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．     

组合光双稳半导体激光器的光逻辑门

用半导体激光器和光晶体管组成了组合光双稳激光器,以不同的电路结构实现了与、或、非、与非、或非光逻辑门.特别是利用光可并行输入输出特性实现了光异或门.