基于广义S变换的高斯领域时频滤波方法

针对S变换时频滤波局部时频区域选择问题,提出了一种高斯邻域阈值滤波方法。首先,利用S变换的二维时频特性,构建时频分辨率可调的广义S变换,提高分析信号的时频分辨率。然后根据不同时频分布类型,定义了3种不同的高斯邻域时频滤波模型。针对不同模型高斯邻域,对信号中S矩阵高斯邻域内的时频数据采用局部阈值处理,保留有用信息,通过广义S反变换得到滤波后的信号。仿真与实验结果表明,广义S变换高斯邻域时频阈值滤波方法具有较高的滤波精度,该滤波模型能有效减小滤波均方差。     

基于GaAs HBT工艺的3.8GHz带宽4GS/s 4bit超高速ADC

报道了一种4GS/s 4bit超宽带（UWB）模数转换器（ADC）芯片,采用1.4um发射级宽度、2层金属布线的InGaP/GaAs HBT工艺实现。该芯片采用折叠内插架构来最小化其面积和电路规模。为了消除折叠内插电路中的偶发错误码,该ADC采用了一种新颖的比特同步电路。实测结果表明,其在4GS/s采样率下具有3.8GHz的模拟带宽和2.6GHz的有效精度带宽（ERBW）,在2.6GHz输入带宽内ADC的有效位数大于3.4bit,在4GHz输入带宽内有效位大于3bit。在6.001GHz输入并将输入功率提高4dB后,有效位仍然高达3.49bit,表明该ADC可采样的频率范围包含从第一到第三奈奎斯特区（DC~6GHz）。该芯片的DNL和INL在4GS/s下均小于±0.15LSB,总面积为1.45×1.45 mm2,总功耗为1.98W。     

能源消费革命是必由之路

与主要发达国家不同,正处在工业化、城镇化发展阶段的我国,同时遭遇能源安全、生态环境以及气候变化问题,因此必须创新发展思路。以能源消费革命控制能源消费总量,是一条必由之路。近日,习近平总书记在中央财经领导小组第六次会议上提出,面对能源供需格局新变化、国际能源发展新趋势,保障国家能源安全,必须推动能源生产和消费革命。     

带有非应变盖层的应变外延层的稳定性

本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性．针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放．从我们的公式出发,也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式,从而使单双扭结模型统一起来．而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况,这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义．本文还从此模型出发计算了盖层为任意厚度时应变层的临界厚度     

加强计算机软件工程管理应用的措施分析

随着科学技术日新月异的发展以及计算机领域科技的日益完善与进步,计算机软件工程领域的发展面也更为广阔,为诸多领域提供了简便、科技化的解决策略,也正因为如此,计算机软件工程的发展也面临着偌大的挑战,软件的开发、投入运行、效果测量等每个步骤都会由于计算机软件涉猎领域的广泛化而存在诸多问题,因此需要对计算机软件工程的管理应用制定出相应的方法以应对这些不利因素。     

基于InP-DHBT的20 GHz的超高速比较器

采用截止频率fT为170 GHz的InP-DHBT工艺,我们设计并制作了一个超高速主从电压比较器。整个芯片的面积（包括焊盘）是0.75?1.04 mm2,在-4V的单电源电压下消耗的功耗是440mW（不包括时钟产生部分）。整个芯片包含了77个InP DHBTs。比较器的尼奎斯特测试到了20GHz,输入灵敏度在10 GHz采样率的时候是6mV,在20 GHz的时候是16 mV。据我们所知,这在国内还是第一次在单片上集成超过70个InP DHBTs的电路,也是目前国内具有最高采样率的比较器。     

光诱导镀改善太阳电池填充因子的研究

本文采用常规的太阳电池工艺制备了一批单晶硅电池片,退火后得到了填充因子迥异的结果。比较了光诱导镀前后电池参数尤其是串联电阻,并分析了光诱导镀提升填充因子的机理。利用扫描电镜（SEM）观察了去除体银后的微观结构,证明了差填充因子太阳电池在光诱导镀后填充因子的提高得益于烧结中形成的银晶粒的充分利用。文中还提出了将光诱导镀应用于接触电阻较大的电池,如纳米柱电池和径向结电池的可能性。     

银硅纳米颗粒用于制备晶体硅太阳电池超高效陷光的研究

研究了制备硅纳米结构的方法,与之前的方法相比,本研究中的AgSi纳米颗粒能控制形成硅纳米结构的直径和深度,同时不需要光刻、反应离子刻蚀等高成本的复杂工艺.实验结果表明,将制备的硅纳米结构作为晶硅电池的绒面,在300～ 1000nm的波长范围内获得了低达5％的反射率;电池的表面复合与电极接触需要改进.     

Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz

An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor (SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_max) and high cutoff frequency (f_t) is reported. Efforts have been made to maximize f_max and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure, base–collector mesa over-etching and base surface preparation. The measured f_t and f_max both reached 185 GHz with an emitter size of 1 × 20 μ m², which is the highest f_max for SHBTs in mainland China. The device is suitable for ultra-high speed digital circuits and low power analog applications.