NiFe/CoFe复合自由层自旋阀巨磁电阻效应研究

采用高真空磁控溅射技术制备出无缓冲层NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Cu结构的自旋阀磁电阻薄膜.采用标准四探针法对自旋阀磁电阻比进行了测试,并利用振动样品磁强计(VSM)测量了样品的磁滞回线.结果表明:采用复合自由层NiFe/CoFe结构有效地提高了巨磁电阻比,相对于单一自由层结构自旋阀,巨磁电阻(GMR...     

自旋转矩纳米振荡器的研究进展

自旋转矩纳米振荡器(STNO)是利用自旋极化电流引起多层磁性纳米结构中的自由磁性层的磁矩进动,并结合磁电阻效应而得到微波输出的一种新型微波振荡器,它具有体积小,振荡频率可电流调控,品质因素高和低功耗等优点.本文介绍了STNO的工作原理,综述了STNO的国内外研究现状和发展趋势,并展望其应用前景.     

同周期控制NURBS曲线高速高精度插补算法研究

为实现对NURBS曲线的高速高精度加工,基于同周期控制思想,提出了一种同周期控制NURBS曲线插补算法(即数控系统的插补周期与伺服系统的控制周期同步).通过软件系统的模块化设计,将费时、复杂的运算经过合理设计安排到预处理模块;同时,为进一步提高算法运算速度和指令高速传输,在算法处理方面采用计算简单并能确保速度曲线平滑的移动平均加减速控制算法对曲线进行加减速处理;在硬件通讯方面采用双端口RAM作为传输接口.最后搭建系统实验平台并对同周期控制NURBS曲线高速高精度插补算法进行实验研究.实验结果表明同周期控制NURBS曲线插补算法可以实现高速高精度加工的插补控制.     

尖晶石结构磁介电材料的研究进展

随着通信技术的发展,对无限通信设备的集成度有了更高的要求,天线小型化成为目前重要的研究方向。等磁介电材料是一种既具有磁导率又具有介电常数,且磁导率和介电常数几乎相等的材料,使用等磁介电材料作为天线的基板,能有效的减小天线的尺寸,提高带宽,增加辐射效率。铁氧体是由Fe2O3和一种或多种金属氧化物复合而成,具有较高的磁导率和介电常数,由于其同时具有磁特性和介电特性,是一种潜在的等磁介电材料。综述了近几年尖晶石结构磁介电材料的国内外研究进展,着重讨论了掺杂改性对烧结温度、磁导率、介电常数、直流电阻等电磁特性的影响。最后指出目前研究中存在的问题,并展望了该材料在未来发展的方向。     

尖晶石结构磁介电材料的研究进展

随着通信技术的发展,对无限通信设备的集成度有了更高的要求,天线小型化成为目前重要的研究方向。等磁介电材料是一种既具有磁导率又具有介电常数,且磁导率和介电常数几乎相等的材料,使用等磁介电材料作为天线的基板,能有效的减小天线的尺寸,提高带宽,增加辐射效率。铁氧体是由Fe2O3和一种或多种金属氧化物复合而成,具有较高的磁导率和介电常数,由于其同时具有磁特性和介电特性,是一种潜在的等磁介电材料。综述了近几年尖晶石结构磁介电材料的国内外研究进展,着重讨论了掺杂改性对烧结温度、磁导率、介电常数、直流电阻等电磁特性的影响。最后指出目前研究中存在的问题,并展望了该材料在未来发展的方向。     

"微电子器件"课程探究式小班教学模式

当前,注重对学生的能力与思维培养的探究式小班(seminar)教学模式越来越受重视.本文介绍了我校"微电子器件"课程在探究式小班教学模式的实践中,构建启发式、案例式、讨论式的探究式教学形式的具体措施,最后还介绍了课程考核方式的改革方法.     

GaAs基霍尔传感器的研究进展

霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统.与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,GaAs基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性.概述了GaAs材料在霍尔传感器领域的优势及霍尔单元形状的研究进展;综述了采用外延工艺制备的单外延结构的GaAs基霍尔传感器和异质结构的GaAs基霍尔传感器的研究进展;详细介绍了电压偏移消除技术的研究进展,包括结构的优化、正交对消补偿和旋转电流技术;最后对GaAs基霍尔传感器的发展趋势进行了展望.     

有源钳位开关电源中调节谐振电感实现软开关的效果分析

软开关(零电压开关)能减小开关损耗,提高开关电源效率。有源钳位技术的发展为实现软开关提供了方便有效的解决方案。本文采用调节谐振电感的方法实现软开关,并通过实验验证其效果。文中同时分析了在正激同步整流拓扑结构中采用这种方法调节软开关的具体问题,最后提出了一种能实现高效率的电源电路结构。     

石墨烯/锰锌铁氧体/硅薄膜特性及其太赫兹波的磁场调制作用

近年间，基于磁性薄膜的太赫兹调制器件有了初步进展。对磁控溅射锰锌铁氧体薄膜的制备工艺进行了详细研究。在此基础上，制备了石墨烯/锰锌铁氧体/硅(graphene/MnZn ferrite/Si)结构的太赫兹调制器件。其在太赫兹波段的透射可以通过源-栅电压来调制。当栅极电压V_sg为-25 V时，垂直膜面磁场从20 Oe增大到200 Oe，复折射率和复介电常数的实部随之增高。由于锰锌铁氧体薄膜的反常塞曼效应和各向异性磁电阻效应引起薄膜整体电导率和折射率的变化，实现了外加磁场对太赫兹波相位的调制。