注磷InSb的光学性质

本文用光学方法对注磷InSb进行了研究,所采用的实验技术包括:(1)光子能量低于能带间隙的光吸收;(2)电反射光谱。用于实验测量的InSb晶体用切克劳斯基方法生长,所有样品为N型,纯度较高,晶向为〈111〉。它们经过研磨、机械抛光和化学机械抛光,最后经过化学腐蚀,获得高质量的光学表面。注磷的能量为200keV,剂量为10~(12)～10~(14)cm~(-2),InSb的温度为室温。光吸收和电     

Hg_(1-x)Cd_xTeMOS结构的低温电反射研究

Hg_(1-x)Cd_xTe的可见光穿透深度只有500(?)左右,所以用调制光谱来研究这种材料的表面是一种很有效的方法。由于MOS器件比较难做,目前Hg_(1-x)Cd_xTe电反射一般在室温电解液中进行。材料在电解液中容易与电解液发生作用,另外电解液中不能进行低温实验。MOS器件则比较稳定,它没有化学势弛豫等其他一些因素的影响。我们采用Hg_(1-x)Cd_xTeMOS技术,研究了低温(79K)和室温下不同表面处理及不同介质膜的电反射谱,得到了一     

离子注入HgCdTe损伤特性研究

本文利用电解液电反射方法研究了离子注入ＨｇＣｄＴｅ的损伤特性，得出了材料的Ｅ１能量值，同时探讨了热退火下离子注入引起的损伤变化关系。     

窄禁带半导体的电解液电反射谱

应用低场下电解液技术观察了InSb、Hg_(1-x)Cd_xTe 和Pb_(1-x)Sn_xTe材料的电反射谱。得到了大于基本吸收边缘的垂直带间跃迁谱和自旋轨道分裂谱。测量了Hg_(1-x)Cd_xTe合金的组份。对低场下的电解液电反射(EER)谱的实验条件进行了讨论。     

固体绝缘开关柜在线检测技术

固体绝缘开关柜挂网运行过程中,其柜内的一次高压部件热功率很大,易导致局部过热,从而造成开关柜的短路故障。为了确保配电网的稳定、安全与可靠运行,提出了一种固体绝缘开关柜在线检测新技术。它首先获取开关柜关键部位的原始红外热图像数据,借助配电网电力多模通信接入切换装置将检测信息以230 Mesh（无线Mesh网络）、光纤等多种通信方式,传输到配电网自动化主站,预处理、噪声滤除、图像增强、图像边缘检测,分析红外热图像数据处理结果后,进行固体绝缘开关柜的过热故障诊断。这种新技术的实用性已被具体的实验和工程验证,简化了配电网固体绝缘开关柜的检修工作。