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1.
半导体器件是集成电路的核心基础,器件特性是器件建模和集成电路设计的重要依据,半导体器件测试成为集成电路相关领域人才必须掌握的重要实践能力。针对实际测试实验存在设备和耗材昂贵、测试过程耗时长等问题,通过搭建半导体器件交直流特性测试系统的虚拟模型,并基于InP基器件科研测试数据反哺教学,学生通过对器件在不同偏置下不同特性的虚拟测试,巩固半导体器件理论知识,掌握测试设备操作技能,全面提升动手实践能力。  相似文献   
2.
针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.  相似文献   
3.
我们制造出了栅长为88 nm的InP基InAlAs/InGaAs 高电子迁移率器件(HEMTs),该器件的频率特性为ft = 100 GHz, fmax = 185 GHz。本文对横向栅槽宽度分别为300 nm, 412 nm, 1070 nm的器件进行了实验。借助能带图的方式,定性分析了横向栅宽的增加会因为表面态和碰撞电离的作用,使得器件直流特性表现出kink效应,并得到减小横向栅槽宽度能减弱kink效应的结论,文中还讨论了横向栅槽宽度通过改变器件寄生电容及其源漏电阻,从而对频率特性产生影响。这些分析对制造出更高性能的HEMT器件有比较重要的意义。  相似文献   
4.
一种宽带的InGaP/GaAs HBT 再生频率分频器   总被引:1,自引:1,他引:0  
A dynamic divide-by-two regenerative GaP/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) frequency divider (RFD) is presented in a 60-GHz-fT Intechnology. To achieve high operation bandwidth, active loads instead of resistor loads are incorporated into the RFD. On-wafer measurement shows that the divider is operating from 10 GHz up to at least 40 GHz, limited by the available input frequency. The maximum operation frequency of the divider is found to be much higher than fT/2 of the transistor, and also the divider has excellent input sensitivity. The divider consumes 300.85 mW from 5 V supply and occupies an area of 0.47 × 0.22 mm^2.  相似文献   
5.
正An 88 nm gate-length In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As InP-based high electron mobility transistor (HEMT) was successfully fabricated with a gate width of 2×50μm and source-drain space of 2.4μm.The T-gate was defined by electron beam lithography in a trilayer of PMMA/A1/UⅧ.The exposure dose and the development time were optimized,and followed by an appropriate residual resist removal process.These devices also demonstrated excellent DC and RF characteristics:the extrinsic maximum transconductance,the full channel current, the threshold voltage,the current gain cutoff frequency and the maximum oscillation frequency of the HEMTs were 765 mS/mm,591 mA/mm,-0.5 V,150 GHz and 201 GHz,respectively.The HEMTs are promising for use in millimeter-wave integrated circuits.  相似文献   
6.
本文基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路。共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高的增益,其芯片面积为900 μm×975 μm,84 GHz-100 GHz频率范围内增益大于10 dB,95 GHz处小信号增益达到最大值为15.2 dB。根据调查对比,该单级放大电路芯片具有最高的单级增益和相对高的增益面积比。另外,该放大电路芯片在87.5 GHz处噪声系数为4.3 dB,88.8 GHz处饱和输出功率为8.03 dBm。该低噪声放大器芯片的成功研制对于构建一个W波段信号接收前端具有重要的借鉴意义。  相似文献   
7.
当前,我国高水平集成电路专业人才缺乏是限制微电子产业发展的瓶颈.本文提出:①理论和虚拟实践相结合的一体化教学模式;②团队考核为主的学业考核制度;③科技前沿专题讲座和科研实践拓展教学等措施,增强学生知识体系建设、动手实践能力和团队协作创新意识,有效促进集成电路方向教学层次、教学质量、毕业人才素质的全面提升,对国家科学研究、经济建设、社会发展提供有力支撑.  相似文献   
8.
半导体有源器件和无源元件是构成各种集成电路的基本要素,其中半导体有源器件是决定集成电路性能的核心元件,"半导体器件物理"课程是电子科学与技术学科重要的专业基础课程.本文针对学生专业基础薄弱、技术发展日新月异、纯理论课堂教学效果不佳等问题,提出构建系统知识框架、探索虚拟仿真实践教学模式、建设课程网络学习平台等改革措施.通过以上措施夯实学生微电子专业基础,提高学生动手实践能力和创新意识.  相似文献   
9.
针对InAlAs/InGaAs InP基 HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(Rgs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(Cds)引起的相位变化,从而提高了S22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.  相似文献   
10.
88 nm栅长fmax=201 GHz InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMT器件   总被引:1,自引:1,他引:0  
我们成功研制了栅长88 nm, 栅宽2 50 μm, 源漏间距为2.4 μm 的InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率器件(HEMT)。栅是使用PMMA/Al/UVⅢ,通过优化电子束曝光时间及其显影时间的方式制作的。这些器件有比较好的直流及其射频特性:峰值跨导、最大源漏饱和电流密度、开启电压、ft和fmax 分别为765 mS/mm, 591 mA/mm, -0.5 V, 150 GHz 和201 GHz。这些器件将非常适合于毫米波段集成电路。  相似文献   
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