Cr,Ca:Y3Al5O12晶体中四配位四价铬离子激光中心的形成

在以中频感应提拉法生长Cr,Ca:Y3Al5O12晶体的基础上,根据不同Ca/Cr掺杂浓度比的晶体于空气中退火前后的吸收光谱数据,建立了四配位四价Cr激光中心形成的缺陷反应方程,认为Cr3+到Cr4+的价态转变与晶体中带有两个而不是一个正电荷的氧离子空位有关。     

Cr,Ca∶Y_3Al_5O_(12)晶体中四配位四价铬离子激光中心的形成

在以中频感应提拉法生长Cr，Ca∶Y3Al5O12晶体的基础上，根据不同Ca／Cr掺杂浓度比的晶体于空气中退火前后的吸收光谱数据，建立了四配位四价Cr激光中心形成的缺陷反应方程，认为Cr3 到Cr4 的价态转变与晶体中带有两个而不是一个正电荷的氧离子空位有关。     

提拉法生长Cr4+Tel:YAG激光晶体获得毫瓦级连续波激光

Cr4+Tel:YAG晶体是能够实用化的可调谐超快激光晶体,其激光输出约位于1250～1580 nm近红外波段,是石英类光纤通讯和激光雷达的理想光源.为生长实用化的Cr4+Tel:YAG激光晶体,不仅在于Cr离子的掺入,更为困难的是必须使其转化为四价态并且进入四面体格位.     

NaCl：OH~－晶体生长及（F_2~＋）_H心制备

报道了低非激活损耗ＮａＣｌ：ＯＨ－晶体生长及高浓度（Ｆ２＋）Ｈ心的制备并和法国同种晶体进行了比较。     

Yb∶YAG晶体的热学性质

对中频感应提拉法生长的不同掺杂浓度的Yb∶YAG晶体的比热和导热性能进行了测试。表明Yb3 +离子的掺杂导致了晶体比热的减小和晶体导热性能的降低 ,并认为导热性能降低是Yb3 +掺杂产生的晶格畸变导致的     

Yb:YAG激光晶体的高温退火和高浓度掺杂效应

测定了提拉法生长的不同掺杂浓度的Yb:YAG晶体从紫外到近红外区的吸收光谱,发现高温氧化气氛退火后原先可见光区色心宽带吸收消失的同时,在紫外区出现新的吸收带,并通过色心的转化对这一现象进行了解释.在紫外区和近红外区吸收光谱中,发现随掺杂浓度的升高220 nm和940 nm附近的吸收带的位置略有移动,提出是由于Yb3+离子掺杂引起的晶格结构畸变导致了Yb:YAG晶体光谱性质的改变.通过X射线衍射对不同掺杂浓度Yb:YAG晶体晶胞参数的测定,证实高的掺杂浓度导致Yb:YAG晶体发生较大的晶格畸变.在不同掺杂浓度Yb:YAG晶体的激光实验中,观察到Yb3+离子掺杂浓度影响晶体的激光性能.     

Yb∶YAG激光晶体的高温退火和高浓度掺杂效应

测定了提拉法生长的不同掺杂浓度的Yb∶YAG晶体从紫外到近红外区的吸收光谱 ,发现高温氧化气氛退火后原先可见光区色心宽带吸收消失的同时 ,在紫外区出现新的吸收带 ,并通过色心的转化对这一现象进行了解释。在紫外区和近红外区吸收光谱中 ,发现随掺杂浓度的升高 2 2 0nm和 94 0nm附近的吸收带的位置略有移动 ,提出是由于Yb3+ 离子掺杂引起的晶格结构畸变导致了Yb∶YAG晶体光谱性质的改变。通过X射线衍射对不同掺杂浓度Yb∶YAG晶体晶胞参数的测定 ,证实高的掺杂浓度导致Yb∶YAG晶体发生较大的晶格畸变。在不同掺杂浓度Yb∶YAG晶体的激光实验中 ,观察到Yb3+ 离子掺杂浓度影响晶体的激光性能     

提拉法生长Cr_(Tel)~(4 ):YAG激光晶体获得毫瓦级连续波激光

Cr4 Tel:YAG晶体是能够实用化的可调谐超快激光晶体 ,其激光输出约位于 1 2 5 0～ 1 5 80nm近红外波段 ,是石英类光纤通讯和激光雷达的理想光源 .为生长实用化的 Cr4 Tel:YAG激光晶体 ,不仅在于 Cr离子的掺入 ,更为困难的是必须使其转化为四价态并且进入四面体格位 .根据 Cr4 Tel:YAG晶体退火前后的吸收数据 ,发现 Cr3 到 Cr4 价态转变与晶体中带有两个而不是一个正电荷的氧离子空位有关 ,Cr4 Tel激光中心形成的缺陷反应稳定能约为 0 .1 3e V.则晶体中八面体配位四价铬 Cr4 Oct中心浓度为 Cr的 1 0 %～ 2 0 % ,且仅有 1 %～ 2 %的…     

Cr,Ca:YAG晶体中Cr的吸收和退火特性

用Czochralski法生长了Cr4+:YAG可调谐激光晶体,对样品进行氧化气氛高温退火实验,分析比较了退火前后Cr4+吸收特性的变化,发现退火后样品中Cr4+的吸收显著增强；Cr3+的主要吸收峰值红移,并提出相应模型对此现象进行了解释。