GaN的低压MOCVD生长模型

用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型。通过优化反应室结构和工艺条件，成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层。     

GaN的低压MOCVD生长模型

用停滞边界层理论分析了低压 MOCVD外延 Ga N的生长模型。通过优化反应室结构和工艺条件 ,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的 Ga N外延层     

高面指数GaAs衬底上自组织生长应变I n0.15Ga0.85As/GaAs量子线阵列

利用分子束外延(MBE)技术在高面指数(553)B GaA s衬底上自组织生长了应变Ga0.85In0.15As/GaAs量子线阵列结构.通过原子力显微镜(AFM)对Ga0.85In0.15A s外延层的表面形貌进行了观测.测试结果表明量子线的密度高达4×105/cm.研究了量子线阵列样品的低温偏振光致发光谱(PPL),发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 MeV,最大偏振度p[ (I -I )/(I +I)]可达0.22,这些测试结果表明制备出了高密度、高均匀性及特性良好的一维量子线阵列结构.     

Ⅲ—V族磁半导体材料的研究与发展

Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族磁半导体（DMS）材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望广泛应用于未来的磁（自旋）电子器件，从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述。     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了 - 族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况 ,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难 ,并展望了进一步的发展趋势。     

MBE自组织方法生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料

利用分子束外延 (MBE)技术在高指数面 Ga As衬底上自组织生长了应变 In Ga As/Ga As量子线材料。原子力显微镜 (AFM)观测结果表明量子线的密度高达 4× 1 0 5/cm。低温偏振光致发光谱 (PPL)研究发现其发光峰半高宽 (FWHM)最小为 9.2 me V,最大偏振度可达 0 .2 2。以 Al Ga As为垫垒 ,In Ga As/Ga As量子线为沟道 ,成功制备了量子线场效应管 (QWR-FET)结构材料 ,并试制了器件 ,获得了较好的器件结果     

半导体量子线场效应管研究现状及趋势

综述了Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体量子线场效应管的研究进展情况,阐述了量子线结构场效应管的制作工艺原理、制备方法、材料结构及器件的电学性能。指出了当前存在的工艺困难,并展望了进一步的发展趋势。     

Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展

Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述