纳米TiO2的制备,表征及光催化性能的研究

采用硬脂酸凝胶（SAG）法制备了TiO2纳米材料,用差热分析,热重分析,X射线衍射对合成过程进行了研究。用X射线光电子能谱（XPS）对其表面状态进行了分行。TiO2纳米材料对甲基橙溶液光催化降解结果表明：催化剂浓度、初始溶液pH值和金属离子对降解效率有较大影响。     

微反射镜和光纤自对准V型槽的制作

用纯KOH水溶液和KOH +IPA混合水溶液在 ( 1 0 0 )硅片上沿 <1 0 0 >方向上腐蚀所暴露的平面是不同的。纯KOH水溶液中总是能暴露与衬底垂直的 {1 0 0 }面 ,在KOH +IPA溶液中 ,随着KOH的浓度不同将暴露 {1 1 0 }和 {1 0 0 }面。使用KOH浓度为 50 %的KOH +IPA溶液 ,在 ( 1 0 0 )硅片上一次掩模制作微反射镜和光纤自对准V型槽 ,微镜的表面粗糙度低于 1 0nm。     

双酚A双肉桂酸酯光控取向膜

利用双酚A双肉桂酸酯光敏单体在线偏振紫外光作用下发生光交联反应,制备了光控取向膜。制备过程更为简单,不需要高温热处理过程。液晶分子的排列方向与入射紫外光偏振方向垂直。通过紫外光谱和红外光谱分析了光化学反应过程,链聚合反应与异构反应相比,链状聚合反应对于液晶的排列起重要作用。利用偏振红外光谱对取向膜的有序度值计算发现,有序值较小。利用Cano盒测试了方位锚定能的大小为1.28×10-6J/m2。取向膜的热稳定性可以达到90℃。     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

具有倾斜下电极的扭臂驱动结构的设计与制作

分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构,并通过倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极.理论分析和实验结果表明,倾斜下电极的pull-in电压几乎比平面下电极的pull-in电压降低一半.     

光控取向技术在塑料基板的应用

肉桂酸双酚A双酯旋涂于塑料基板,在线偏振紫外光作用下,发生光交联反应,诱导液晶定向排列,整个取向过程不需要对基板进行热处理。原子力显微镜对取向膜表面形貌观察得到表面具有较好的平整度。在偏光显微镜下旋转液晶盒,出现了鲜明的暗态和亮态。     

SnO_2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ,纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作 ,元件的漏电流在乙醇气体中减小 ,掺杂镧以后 ,漏电流变化幅度增大     

钛酸钡湿敏元件的介电特性

制备了电阻式纳米钛酸钡湿敏元件,测试了元件的阻抗、电容,以及介电损耗特性.测试频率对元件的阻抗-相对湿度特性曲线影响较大,特别是低湿范围.100 Hz时曲线的线性度最好.元件的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化.在10～105 Hz频率范围内,湿敏元件在11%～98%RH范围都出现了介电损耗的极大值,而且随着相对湿度增大,介电损耗极大值向高频方向移动.分析实验结果,在环境水分子浓度变化时,不仅电阻式湿敏元件感湿材料的电阻发生变化,介电常数也发生变化,水分子的极化也同时存在,但是其电阻随相对湿度的变化最为明显.     

La_(0.7)Sr_(0.3)FeO_3纳米晶薄膜的制备及FET式气敏元件的研制

采用溶胶凝胶工艺 ,合成出纳米晶La0 .7Sr0 .3FeO3薄膜 ,薄膜为钙钛矿结构 ,平均粒径在 4 0nm左右。利用该薄膜采用平面工艺制作出微米尺寸、室温工作的La0 .7Sr0 .3FeO3纳米薄膜栅OSFET式气敏元件 ,并对其气敏性能进行了测试 ,发现器件的漏电流在乙醇气体中增大 ,在氮氧化物中降低。     

纳米晶SnO_2气敏薄膜的制备与表征

以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 .