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1.
一 前言 以CMOS结构为核心的集成电路技术,近二十年来按照摩尔定律发展,即缩小器件的特征尺寸,提高器件的性能,增大集成电路芯片的规模。目前工业硅集成电路的特征尺寸已达到100nm范围。进一步缩小尺寸,面临加工精度的限制,特征尺寸缩小带来的  相似文献   
2.
回顾了纳米磁多层结构中电流感应自旋矩传输和电流驱动磁化矢量进动引起的自旋波发射等新量子效应的研究现状及发展。基于该效应的纳米磁多层微波振荡器件具有结构简单、无须外加磁场、容易集成等特点,在现代通信领域具有广阔的应用前景,备受国内外研究者的关注。介绍了自旋波发射效应的理论处理方法和实验研究进展,讨论了自旋波发射器件的工作原理和铁磁膜的磁化方向、外磁场方向、大小及驱动电流对器件性能的影响。目前研制的器件的效率较低、振荡功率小,采用新的垂直磁化结构有助于解决上述问题。  相似文献   
3.
本文简单的介绍了SiGe技术的优异,应用潜力几发展概况,并预期了其今后的发展趋势和产业前景  相似文献   
4.
用射频(RF)共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜(nc-Ge/SiO2),观察到了多峰的光致发光现象,发现随着激发光波长的增长,多峰发光谱的最强峰向低能方向移动,但是各子峰的位置不发生改变,而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致.X射线光电子能谱(XPS)分析显示膜中不存在纳米晶硅成分,表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。  相似文献   
5.
随着我国的经济不断发展,电网规模逐渐扩大,面临的挑战也逐渐增加。电网末端极容易出现低电压和用户超容用电等问题,低压用户超容用电会严重影响局部电力系统稳定性,容易造成线损增加甚至威胁电网安全。本文提出了一种基于粒子群算法的低压用户超容用电优化研判策略,建立了用户特征优化模型,通过分析海量用户数据中出现的异常情况来准确判断用户是否为低压超容用户,同时针对海量低压超容用户研判的常规流程进行改进,提出了优化研判策略。算例结果表明,本文所述方法能够从海量用户中准确研判低压超容用户,并且较人工审核方式提高了2.86%的判断准确率。  相似文献   
6.
介绍了两大类纳米尺度加工技术--高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术.其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸,包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme ultraviolet lithography)、高效率低成本但目前无法套刻且模板制作困难的纳米压印技术(nano-imprint lithography)和线条最精细但低效率的扫描探针技术(scanning probe lithography)等.工艺流程控制形成纳米尺度技术利用一些常规工艺原理如侧墙掩膜和各向异性腐蚀、多孔氧化铝模板等实现局域或自组装纳米结构,能在传统微电子工艺条件下超越光刻技术分辨率限制制备可控的纳米线条或点,但集成度仍受光刻精度限制.  相似文献   
7.
硅基隧穿二极管   总被引:1,自引:0,他引:1  
隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-V)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能。在最近的研究中,空穴型双势垒单势阱共振隧穿二极管得到了实现,为Si1-xGex/Si异质结隧穿二极管器件的改进和电路应用打下了良好的基础。  相似文献   
8.
利用导电探针原子力显微镜(CP—AFM)构成金属电极/烷基硫醇饱和分子的自组装单分子膜/金属电极的三层结构,研究了该类分子结的电荷输运。利用该结构测量了该分子结的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明分子结电导随分子长度的增长指数衰减,并且证实隧穿为饱和分子结中的主要电荷传输机制。同时,实验结果表明该分子结存在明显的整流效应,对该饱和分子结的整流特性进行了理论分析。  相似文献   
9.
随着现代化技术的逐渐提升,安卓手机的应用越来越普遍化,其中对于安卓手机端的安全检测也得到了社会各界的广泛重视,需要利用k-means算法来进行动态特征的提取子,从而可以根据其特定的算法来对其进行检测,实现其按安卓手机的应用多样性.在本文当中首先对其安卓端的手机安全检测进行了概述;其次在k-means算法的基础上对其特征代码进行了提取分析;最后利用实验的方式进行了验证.  相似文献   
10.
量子计算与超导量子计算机   总被引:1,自引:0,他引:1  
量子计算是一种基于量子力学相干叠加原理的新型计算体系,具有超越传统计算体系的优越性能。超导量子计算因为其在规模可扩展性方面的潜力而得到广泛的重视。超导约瑟夫森结是超导量子计算机方案中的关键器件,可用来控制超导体中的宏观波函数。阐述了量子计算的发展和优势,介绍了约瑟夫森结的原理以及三种超导量子比特的特性,并分析了面临的挑战。  相似文献   
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