模拟碳化塔中碳酸化反应合成碳酸钙晶须研究

在模拟碳化塔中进行了碳酸钙晶须合成的研究，发现压缩空气和CO2气体流量、温度、反应的液面高度对反应时间和碳酸钙晶须的生长具有很大影响，得出了适合碳酸钙晶须生长的反应条件。     

陶瓷制造中的分散技术

论述了先进陶瓷研究和制造中的分散问题及分散机理中的静电位阻稳定效应、空间位阻稳定效应和电空间稳定效应;介绍了上述分散稳定技术在氧化锌压敏陶瓷和高介陶瓷研究及制造中的实际应用。     

晶须碳酸钙的开发

利用碳酸化合成方法开发了文石型碳酸钙晶须材料,并对氯化镁浓度的影响和反应过程进行了详细研究。实验表明,氯化镁的加入有利于石石相碳酸钙的形成,在浓度为０．４ｍｏｌ／Ｌ以上可以得到单一文石晶须;反应终点可以通过ＰＨ值的测定加以检测。     

热液环境下氢氧化镁结晶形态机理研究

研究了热液环境下氢氧化镁结晶形态形成机理。根据负离子多面体配位生长理论,构造了氢氧化镁的生长基元,计算了相应于不同维数和多重数n的水镁石生长基元稳定能。根据不同生长基元稳定能的计算结果,发现氢氧化镁的生长基元稳定能在1维方向(n×1×1),随着n值的增大而较快地增大,而二维方向生长基元稳定能为负值,这说明:氢氧化镁晶体是在1维方向(此方向平行于氢氧化镁晶体结构的基本层)优先生长,形成氢氧化镁针状或纤维状结晶形态。并由此推断,陕南黑木林的天然纤维状水镁石矿最初应该是在地壳局部形成的1种热压的环境里,在1种热液状态下生成的。     

纳米尺度下钯元素的催化效应及气敏机理

在研究了贵金属Pd和离子Pd2+催化剂对纳米结构厚膜材料气敏特性的影响之后,提出了纳米催化效应的见解。认为将微量Pd2+的水溶液加入到纳米晶SnO2-x粉体中,可使Pd2+离子均匀地分布。所形成的PdO1-x纳米晶,能更均匀地存在于纳米结构厚膜材料载体中,有望对可燃性气体起到最有效的纳米催化作用。实验结果表明当Pd2+离子最佳的引入量为1.04mol%时,对3000×10-6甲烷的灵敏度可达9～11。     

水热法合成四方相超细BaTiO3粉体的研究进展

近年来，水热法合成四方相钛酸钡是一个研究热点问题，主要综述了水热法合成四方相钛酸钡粉体的研究进展，指出目前关于四方相和立方相相变的机理尚不完全清楚，临界尺寸还有待于进一步证实，四方相及其含量的测定还依赖于更为先进的设备和测试方法。     

烧制工艺对氧化镁活性的影响

为获取高活性氧化镁，以提供镁铝水滑石阻燃剂制备的实验依据，采用X射线衍射研究烧制工艺与氧化镁的结晶状态的关系，结果发现烧制温度和烧制时间对氧化镁的活性有较大的影响，而不同活性的氧化镁对镁铝水滑石有决定性影响。在500℃-750℃的范围内，镁盐的烧制温度为500℃-550℃，保温时间2h，这样的氧化镁的活性最大，用其制备镁铝水滑石试样纯度较高。     

耐电晕聚酰亚胺薄膜的可靠性研究

为了评价聚酰亚胺/纳米TiO2复合薄膜的耐电晕寿命,对自制的聚酰亚胺/纳米TiO2薄膜进行加速寿命试验,并对得到的实验结果用两参数Weibull分布解析法计算,得出了该薄膜在(15士3)℃,770 V、20 kHz的脉冲电压条件下的累积失效概率方程和可靠度方程等可靠性参数。Weibull假设检验结果表明,所得试验结果服从Weibull分布。     

Ba1-xLaxTiO3陶瓷的晶界再氧化机理研究

不同La施主掺杂浓度的BaTiO3陶瓷在H2／Ar的还原气氛下烧结后，再在氧分压PO2=260Pa的气氛（Ar和O2的混合气体）下进行氧化，通过氧流量计检测还原样品在再氧化过程的吸氧行为；用TEM分析样品氧化后显微结构的变化，测定了在不同最高氧化温度下氧化样品的PTCR效应以及复阻抗图谱．结果表明；氧流量计在升温阶段检测到三个不同行为的吸氧峰，峰Ⅰ（起始温度-250℃）为氧空位的填充过程；峰Ⅱ（起始温度-800℃）和峰Ⅲ（起始温度-1250℃）为还原相的氧化过程，具体来说，峰Ⅱ是通过晶界扩散提供氧使靠近晶界附近的区域被氧化；而峰Ⅲ是由晶格扩散过程控制，氧化过程从晶界逐渐向晶粒内部区域扩展，并伴随着富Ti的Ba6Ti17O40相的沉淀．在还原相向氧化相的转变过程中，于晶界处形成了两个具有晶界势牟的电结构单元而使陶瓷旱现强PTCR效应．     

环氧包封层对高压陶瓷电容器耐电压水平的影响研究

随着高压陶瓷电容器应用范围的不断扩大，环氧树脂包封层的质量问题变得越来越突出而日益受到广泛的关注。固化残余应力是高压陶瓷电容器产品耐电压合格率降低的主要原因之一，其与电机械力的联合作用造成陶瓷－环氧界面的劣化。本文就减少残余应力，改善高压陶瓷电容器耐电压水平的不同方法进行了深入研究，提出了退火、静置和提高填料量以及对包封层增韧等技术手段。