金属表面缓蚀剂自组装单分子膜的STM研究进展Ⅱ.常用金属表面的缓蚀剂自组装单分子膜

缓蚀剂的作用机理与缓蚀剂分子在金属表面形成的自组装单分子膜及其作用密切相关.利用扫描隧道显微镜(STM)可以实时、原位、三维实空间观察原子/分子的技术优势,在分子水平上认识金属-缓蚀剂之间的相互作用,对于金属腐蚀科学的理论研究具有十分重要的意义.本文简要介绍了STM对部分常用金属表面有机缓蚀剂自组装单分子膜的结构、分子取向、晶面结构效应等方面的最新研究进展.     

基于干涉原理测量溶液浓度变化分布的实时系统仿真实现

实验利用数字全息干涉技术对电极反应过程中溶液浓度变化分布进行测量。运用基于直方图的自适应滤波方法和基于形态学滤波的固液界面提取方法,解决了每更换一次实验数据都要人工识别和更换滤波参数以及手动去除固侧干扰信息的难题,为实现从摄像机实时读取数据、实时处理、测量和观察提供了仿真依据。     

在酸性介质中敏化1Cr18Ni9Ti不锈钢钝化膜的光电化学研究

利用光电化学和电化学测试技术研究了敏化的不锈钢的钝化膜。对敏化的不锈钢电极,在不同的电极电势范围内,钝化膜显示出n-型或p-型半导体的特性。这些光电化学行为的不同可以用不同电极电势下不锈钢钝化膜组成中Cr(Ⅲ)水合程度的不同来解释。     

卤离子溶液中(NH2)2CS对Cu阳极溶解的缓蚀作用

运用恒电位稳态极化和暂态极化技术研究了(NH2) 2CS在中性NaF、NaCl、NaBr及KI溶液中对金属Cu阳极溶解的缓蚀作用.通过比较Cu在卤离 子溶液与含(NH2)2CS卤离子溶液中的电化学行为,解释了(NH2)2CS的缓蚀机制；并 研究了扫描速率对形成CuX膜的峰电位和峰电流的影响,探讨了Cu的阳极溶解机理.     

专论金属表面缓蚀剂自组装单分子膜的STM研究进展 Ⅱ.常用金属表面的缓蚀剂自组装单分子膜

缓蚀剂的作用机理与缓蚀剂分子在金属表面形成的自组装单分子膜及其作用密切相关。利用扫描隧道显微镜(STM)可以实时、原位、三维实空间观察原子/分子的技术优势,在分子水平上认识金属 缓蚀剂之间的相互作用,对于金属腐蚀科学的理论研究具有十分重要的意义。本文简要介绍了STM对部分常用金属表面有机缓蚀剂自组装单分子膜的结构、分子取向、晶面结构效应等方面的最新研究进展。     

800合金的碱性应力腐蚀破裂 I.外加电位的影响

采用恒电位C形环SCC试验方法,研究800合金在含0.3％SiO_2和0.3％Na_2S_2O_3的沸腾50％NaOH溶液中的SCC行为,并结合极化曲线测试及表面膜俄歇电子能谱(AES)分析结果进行了讨论。结果表明,在约-0.30V(SCE)以上的较高电位钝化区,800合金对碱性SCC非常敏感,而在约-0.45V(SCE)以下电位,SCC敏感性大大降低。这与较高电位下生成严重贫铬的Ni和Fe的氧化膜,而较低电位下生成由Cr、Fe、Ni的氧化物共同组成的表面膜密切相关。     

预钝化膜的分形生长研究

研究了纯Ｆｅ在Ｈ_２ＳＯ_４中从活化态转变成钝化态的预钝化过程．建立并分析预钝化膜生长模型．发现在致钝初期，预钝化膜复盖处的周界曲线维数大于１，预钝化膜的生成以分形方式进行，其维数随钝化电位的提高而提高．这表明不同电位下生成的初期预钝化膜具有不同的结构，也说明了钝态具有耗散结构特征．     

利用动电位再活化法研究外加阴离子对铁钝化过程的影响

本文运用动电位再活化法研究了酸性溶液中阴离子对铁钝化过程的影响。在给定实验条件下,卤素离子对铁钝化膜的影响以Br~->Cl~-8>F~-、I~-的顺序递减;NO_3~-可以抑制Cl~-对阳极钝化区铁电极表面的孔蚀。扫描电镜实验得到相同结果。动电位再活化法是一种研究侵蚀性阴离子和抑制剂对金属钝化膜作用的快速而有效的方法。     

Cl~－对铁在硫酸介质中致钝过程的影响

通过对ＦＥ在含Ｃｌ－与不含Ｃｌ－的Ｈ２ＳＯ４介质中的稳态钝化和暂态致钝过程的分析，发现钝化膜的生成是以分形方式进行的，钝化电位的提高在加快成膜速度的同时，也使膜的分形维数上升．Ｃｌ－的加入使分形维数进一步提高，并通过改变膜的组成结构使膜的溶解速度增大．     

扫描电化学显微镜对铁自组装膜的电化学表征

    用扫描电化学显微镜（SECM）的线扫描的方法研究咪唑啉分子吸附在铁的表面形成的自组装单分子膜(SAMs).采用恒高度工作模式,用基底产生/探头收集的原理探讨发生在探头针尖与基底间隙的化学动力学过程和对表面浓度进行检测.空白的铁电极和组装咪唑啉的铁电极在0.1 mol/L HClO₄的峰电流的值分别是-1.67165e-9A和-2.146e-10A.结果表明,组装咪唑啉分子后探头具有更低的电流,其原因在铁电极表面形成的SAMs膜抑制了电极在溶液中发生的氧化还原反应,阻碍了电荷转移过程,抑制了铁基底的溶解.