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1.
为更好地探索分析建筑业起重机械事故原因,以国家住建部网站获取的 2012~2017 年起重伤害事故部分调查报告为样本,采用拉夫堡 ConAC 模型,开展建筑业起重设备事故原因调查和分析。同时运用事故路径网络图进一步分析各层原因之间的因果关系。结果表明,建筑业起重机械事故三大致因分别为:动作行为、监督管理、风险管理;追溯到事故发生的本质原因形成如重物坠落打击伤害类型事故链,为建筑企业安全管理提供科学的依据和决策。  相似文献   
2.
从健康散养的溜达鸡小肠黏膜中分离出一株乳杆菌,通过菌落形态观察、革兰氏染色、生理生化鉴定以及16S r RNA基因序列测定和同源性分析,确定所分离的菌株为唾液乳杆菌,并命名Lactobacillus salivarius C-1-3。对该菌进行抑菌、纤维素降解、耐酸、耐胆盐、耐高温实验。结果表明:其对常见的致病菌大肠杆菌、沙门氏菌和金黄色葡萄球菌都具有良好的抑制作用,且该菌株能够降解纤维素。经过多次驯化后,该菌株表现出较好的抑菌作用及耐酸、耐高温特性。  相似文献   
3.
利用电子束反应沉积技术制备了高迁移率I2O3基W-Mo共掺(IMWO,I<,2>O<,3>:WO<,3>/MoO<,3>)薄膜,研究了不同等量WO<,3>-MoO<,3>掺杂浓度对薄膜的微观结构、光学性能和电学性能的影响.IMWO薄膜的表面形貌呈现"类金字塔"型.随着WO<,3>-MoO<,3>共掺量的增加,IMWO薄...  相似文献   
4.
利用低压MOCVD技术在玻璃衬底上生长了改进型绒面结构ZnO:B薄膜。改进型ZnO:B薄膜包含两层薄膜,第一层采用传统工艺技术生长了类金字塔状晶粒,第二层借助相对低温生长技术获得了类球状晶粒。典型的双层生长技术获得的MOCVD-ZnO:B薄膜具有相对高的电子迁移率~27.6 cm2/Vs,主要归因于提高了晶界质量,减少了缺陷态。随着第二层修饰层厚度的增加,MOCVD-ZnO:B薄膜的绒度提高,而光学透过率有所下降。相比于传统工艺生长的ZnO薄膜,双层结构的MOCVD-ZnO:B薄膜应用于硅基薄膜太阳电池展现了较高的太阳电池转化效率。  相似文献   
5.
采用反应热蒸发的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料衬底上制备In2O3:Sn(ITO)薄膜.鉴于塑料对温度的敏感性,详细研究了衬底温度对其上沉积的ITO薄膜的微观结构及光电性能的影响,在低温条件下(Ts=140℃)获得电阻率为7.52×10-4Ωcm,可见光范围内的透过率大于80%和结构特性良好的薄膜,并将其应用于PIN型太阳电池的前电极,获得了转换效率为4.41%的柔性非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池.  相似文献   
6.
由于非晶硅光致衰退、微晶硅吸收系数低的原因,叠层结构电池成为提高电池效率和稳定性的有效途径.叠层电池各子电池较薄、太阳光的利用率较低,因此陷光结构在叠层电池中的作用尤其重要.具有绒面结构的前电极、叠层电池的中间层以及ZnO/Al或ZnO/Ag复合背电极共同组成硅薄膜太阳电池的陷光结构.中间层位于各子电池之间,作用是改变界面反射率,影响电池中光的传播路径.该文综述了叠层电池中间层的作用、要求以及此方面国内外的研究现状,并指出中间层研究中需要注意的主要问题和未来发展的趋势.  相似文献   
7.
通过对不同材质、不同厚度、不同化学成分的易熔片在不同浇注温度的情况下进行熔化速度的试验,确定了含碳量较高的铸铁,熔点较低,是比较理想的制作易熔片的材料,生产应用效果良好.实际生产证明该易熔片具有使用方法简单、成本低等特点、易于推广.  相似文献   
8.
采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%.  相似文献   
9.
近年来随着人民生活水平的提高,电梯的使用频率日益提高。但是部分电梯安装单位对PE保护线连接不规范造成了安全隐患问题,并提出了相应的解决办法。  相似文献   
10.
研究了机械球磨方法制备的Al-10%Ti混合粉末的组织和热稳定性.结果表明:在球磨作用下,Al, Ti粉末的颗粒尺寸得到有效细化,并且球磨时间越长,Al/Ti粉末储备能量越大,生成Al-Ti金属间化合物所需的反应激活能越低,内能的增加和扩散能力的提高是由于机械球磨导致了大量的晶格缺陷;Al-10%Ti混合粉末反应烧结后相互扩散形成的最终产物是DO22-Al3Ti.  相似文献   
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