一种新的HEMT小信号模型参数提取方法

介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数，其次介绍了多偏置点优化算法。最后，以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试，实验采用一系列随机起始值，结果表明，提取的参数值与经验值相差小于1％。     

产学研基地对电子信息类专业本科生素质培养的作用

分析和论述了产学研基地对电子信息类专业教学计划，数学内容，教学方法的带来的改革，对本科生理论联系实际、分析和解决工程实践问题、创新能力和协作精神等素质的培养，起到了重要的促进作用。     

在MESFET中畴的形成——器件结构和材料参数的影响

<正> 一、引言限制 GaAs MFS FET 输出功率的最重要的因素中的两点是:低的击穿电压和高的衬底电导。前者主要涉及功率 FET 的几何结构,后者同材料特性有关。本文的目的是报导:(a)所研究的一种新的器件结构,(b)在所掺杂的范围内获得高的击穿电压,和(c)高纯的未掺杂的缓冲层对 FET 静态特性的影响。我们还将报导采用电子束感生电流(EBIC)在漏回路所获得的电场分布,和采用通过场效应晶体管的沟道各点上碳俄歇谱线的移动所获得的表面电压分布。     

一种新型场效应器件—隐栅场效应晶体管

这篇文章讨论了一种正在发展中的新型场效应晶体管,它是从另一种场效应管——Tecnetron 发展过来的。它利用了向心收缩原理,并具有多道沟结构。由于这一发展有可能把双极晶体管和场效应管的优点综合起来。在文章的理论部分讨论了向心收缩的特性。因为隐栅场效应晶体管是多沟道结构,它克服了自由度的限制。消除了向心收缩的缺点,而保留了它的优点。对于隐栅场效应晶体管的各种几何形状和实现这种器件的工艺已进行了讨论,特别注意到它们适合于集成电路。简单地给出了所获得的结果,简述了对于未来的展望。     

HEMT小信号等效电路提取的仿真软件的研制

该文介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取及其仿真软件的研制。首先，通过一系列公式推导并提出器件的模型，确定外部参数和内部参数。其次，介绍多偏置点优化算法，并且通过实验证明这种方法的优越性。最后，介绍软件界面设计。     

电路表格特性宏模型的改进

介绍了一种一般表格特性宏模型的方法，该方法的优点是计算量少缺点是存储量大、查找速度慢。为了电路的设计与计算效率，提出了一种利用最小二乘法进行曲线拟合的方法，该方法能够减少存储量，并采用二分查找法加快其查找的速度，方法便于计算机编程实现。在电子设计自动化方面能够得到很好的应用。     

10GHz 1W GaAs MESFET

<正> 一、引言自从1966年C. A. Mead提出肖特基场效应晶体管以来,GaAsMESFET作为一种微波器件受到广泛重视。短短十几年来已取得突飞猛进的发展。在4～20GHz的频率范围内,GaAs功率MESFET已被公认为是一种最好的微波功率器件。它具有结构简单、体积小、重量轻、功率大、效率高、线性好、频带宽等优点。在相控阵雷达、卫星和地面通信、电子对抗及卫星直播电视中得到广泛的运用,有着广阔的发展前景。     

2～20GHzGaAs行波功率放大器

论述了2～20GHz频率范围,功率输出250mW的新型单级单片GaAs行波功率放大器。并讨论了功率放大器的设计考虑。