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1.
高频变压器是开关电源的核心元器件,在开关电源高频的趋势中,如何测量高频变压器的高频噪音成为业界所面临的棘手问题。提出一种开关电源高频变压器超声波测量装置,可以精确、便捷地测量超出人耳听觉范围的超声波,并通过微处理器处理分析测量信息后,在显示屏中得到所选定高频噪音频率段的平均功率等级。 相似文献
2.
3.
4.
A high-linearity PGA(programmable gain amplifier) with a DC offset calibration loop is proposed.The PGA adopts a differential degeneration structure to vary voltage gain and uses the closed-loop structure including the input op-amps to enhance the linearity.A continuous time feedback based DC offset calibration loop is also designed to solve the DC offset problem.This PGA is fabricated by TSMC 0.13μm CMOS technology.The measurements show that the receiver PGA(RXPGA) provides a 64 dB gain range with a step of 1 dB,and the transmitter PGA(TXPGA) covers a 16 dB gain.The RXPGA consumes 18 mA and the TXPGA consumes 7 mA (I and Q path) under a 3.3 V supply.The bandwidth of the multi-stage PGA is higher than 20 MHz.In addition,the DCOC(DC offset cancellation) circuit shows 10 kHz of HPCF(high pass cutoff frequency) and the DCOC settling time is less than 0.45μs. 相似文献
5.
A 200mA CMOS low-dropout regulator with double frequency compensation techniques for SoC application 总被引:1,自引:1,他引:0
This paper presents a 200mA low-dropout (LDO) linear regulator using two modified techniques for frequency compensation. One technique is that the error amplifier using common source stage with variable load, which is controlled by output current, is served as the second stage for stable frequency responses. Another technique is the LDO uses pole-zero tracking compensation technique at error amplifier to achieve good frequency response. The proposed circuit was fabricated and tested in HJTC 0.18μm CMOS technology. The designed LDO linear regulator works under the input voltage of 2.8V-5V and provides up to 200mA load current for an output voltage of 1.8V. The total error of the output voltage due to line and load variation is less than 0.015%. The LDO die area is 630*550μm2 and the quiescent current is 130μA. 相似文献
6.
本文介绍了一种应用于无线局域网(WLAN)收发机系统的跨导-电容(Gm-C)低通滤波器,该滤波器能够工作于低电压并具有高线性度。该射频发射器(Tx)中的滤波器采用截止频率为9.8MHz的三阶切比雪夫低通滤波器原形,在30MHz频率处的阻带衰减达到35dB。由于采用了工作在线性区MOS的伪差分跨导,此滤波器的IIP3可达9.5dBm之高。本电路采用0.35-μm CMOS工艺实现,滤波器的芯片面积为0.41mm0.17mm,工作在3.3V电源电压时所消耗电流为3.36mA 。 相似文献
7.
A low power mixed signal DC offset calibration (DCOC) circuit for direct conversion receiver applications is designed. The proposed DCOC circuit features low power consumption, fast settling time and a small die area by avoiding the trade-off between loop response time and the high pass frequency of the DCOC servo loop in conventional analog DCOC systems. By applying the proposed DC offset correction circuitry, the output residue DC offset voltages are reduced to less than 38 mV and the DCOC loop settling time is less than 100 μs. The DCOC chip is fabricated in a standard 0.13-μm CMOS technology and drains only 196 μA from a 1.2-V power supply with its chip area of only 0.372 × 0.419 mm2. 相似文献
8.
非耦合开关电容CuK-DC-DC变换器和普通CuKDC-DC变换器相比,其输入输出电感可工作在独立的导电模式。由于它的导电模式不同于任何现有的变换器,因此本文对这种变换器的临界条件进行了详细分析,实验结果证实了理论分析。 相似文献
9.
10.
实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关.对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其刃位错、螺位错与微管密度分别为2.82×105,94和38cm-2;对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其上述缺陷密度分别为9.34×105,2和29cm-2.结果表明:随着生长气体流量的增加,由于避免了N2掺杂,刃位错密度下降. 相似文献