T_C≥400°C高温PTC陶瓷的研制

利用国产原料，采用传统的陶瓷材料制备工艺，研制了居里温度ＴＣ≥４００°Ｃ的高温ＰＴＣ陶瓷，制成了居里温度ＴＣ＝４１２°Ｃ，电阻Ｒ≤１０３Ω，ｌｇ（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）＝４的高性能ＰＴＣ热敏陶瓷材料     

PTC陶瓷恒温器

给出了ＨＺ９１型恒温器的设计和制作方法。该恒温器的主要性能是，稳定工作温度为８０±５℃，交流或直流工作电压为２４±４Ｖ，常温下功率消耗为０．９Ｗ左右，调整系数不小于１０（环境温度－５５℃～＋６０℃）。此外，还给出了恒温器用ＰＴＣ热敏电阻的制备工艺．     

小型化宽带钽酸锂晶体滤波器

介绍比较了钽酸锂(LiTaO3,简称LT)晶体和其他几种常用压电体波材料的物理特性,并从电路结构设计、寄生和谐波抑制及温度性能等方面详细介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的设计方法并根据该方案设计了一种11.2 MHz单片式晶体滤波器.结果表明,钽酸锂晶体能方便地实现相对带宽0.8%～4.0%、频率温度稳定性好、体积小的宽带晶体滤波器,具有广泛的应用价值.     

四极点LGS晶体滤波器的研制

介绍了了一种四极点单片式硅酸鎵镧(La_3Ga_5SiO_(14),LGS)晶体滤波器的设计方法.该滤波器中心频率为5 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55～+125 ℃,体积只有32.0 mm×16.0 mm×8.5 mm.实验证明,LGS晶体能实现相对带宽为0.3%～0.8%,频率温度稳定性好,体积小的晶体滤波器,具有广泛的应用价值.     

低电压氧化锌压敏电阻器

评述了实现氧化锌压敏电阻器低压化的一些有效途径。介绍一种采用传统电子陶瓷制造工艺，通过添加少量晶粒促进剂和锌锑尖晶石来制备低压氧化锌压敏电阻器的方法及原理，达到的主要结果是压敏电压４Ｖ，非线性系数大于１５，通流量２００Ａ。     

单片硅酸镓镧晶体滤波器的研制

比较了几种压电晶体的物理性质,采用硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体材料设计了一种6极点单片晶体滤波器.该滤波器中心频率为4.8 MHz,3 dB带宽20 kHz,工作温度范围为-55～125℃,体积仅32.2 mm×12.6 mm×8.5 mm.实验证明,LGS晶体温度性能好,机电耦合系数高,适合制作中等带宽的晶体滤波器,该研究填补了国内该领域的空白.