首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   18篇
  免费   0篇
无线电   17篇
自动化技术   1篇
  2019年   3篇
  2015年   1篇
  2013年   2篇
  2012年   4篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   2篇
  2006年   1篇
  2002年   1篇
排序方式: 共有18条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
介绍了一种新型等离子体刻蚀机的使用条件,通过对各种参数变化的组合实验,得到了最佳工艺数据.利用该刻蚀机生产的电池片刻蚀效果好,刻蚀后经检测,电池片漏电流小,并联电阻大,提高了电池片的综合性能指标.  相似文献   
2.
介绍了一种用于卧式扩散炉的自动上下料系统,对自动上下料系统组成进行了介绍,着重讨论了系统的安全性问题,并对安全性提出了解决方案,该系统控制效果良好,能为电池片生产企业降低人工成本,提高生产效率,增强了设备的安全性,适合大规模电池片生产要求。  相似文献   
3.
制绒工艺作为晶体硅太阳能电池生产的重要环节,电池厂商在要求保证工艺质量的前提下,希望能扩大单台设备的产能。介绍了一种用于太阳能电池制绒设备及该系统中关键部件制绒槽和移载机械手。该系统结构简单,控制效果良好,通过对工艺的研究该系统能满足100 MW生产线的生产要求。  相似文献   
4.
5.
中国电子科技集团公司第四十八研究所是国内最早从事晶体硅太阳能电池整线交钥匙工程的单位,在国内已完成了几十家太阳能整线的建设。整线建设包括生产线设备的配置、安装,外围设施建设(厂房设计,净化间施工,水、电、气的设计施工),工艺调试,投产。其中外围设施建设的重要性往往被人们忽视。作者通过承担几条生产线的整线设计,参与了外围设施设计并在现场跟踪施工全过程,直至整线交付。在外围设施建设过程中发现了一些可修改的设计问题,在此提出来与大家分享。  相似文献   
6.
分析了GaN-M OCVD 设备中M O 源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定M O 源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于GaN-M OCVD 中5 种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO 源注入摩尔流量精确控制的解决方案.  相似文献   
7.
对晶体硅太阳能电池片生产用扩散炉反应管压力平衡系统的要求及原理进行了阐述,由于反应管内气流变化对扩散效果影响很大,本系统根据实际使用经验,对工艺管内压力进行检测,在外围尾气排放不稳定的条件下,对反应管内气体排放进行调节,从而控制管内压力,使管内流速均匀,达到好的扩散效果。  相似文献   
8.
离子束溅射制备的氧化钽层的绝缘特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种具有高附着力和优良绝缘性能的Ta2O5介质膜,它由离子束溅射镀膜工艺制备而成。检测了在不同氧气流量下制备的氧化钽薄膜的绝缘性。结果表明:在其余条件相同的情况下,氧气流量越大所制备的薄膜绝缘程度越高。但当氧气流量达到一定的程度时,其绝缘程度不再有所变化。  相似文献   
9.
介绍了一种新型离子束刻蚀装置。该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统。工艺试验结果表明,该设备是一台先进的半导体工艺设备,性能稳定,刻蚀均匀性可达±4%。  相似文献   
10.
根据太阳能PERC电池关键工艺设备——平板式PECVD设备的整体要求,介绍了其中工艺腔的加热系统设计,对加热功率进行了计算,控制方式进行了分析,通过优化设计,降低了设备的能耗,提高了温度均匀性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号