基于单端反激式LED驱动电源的设计

LED的快速发展,使得LED驱动电源的设计成为LED关注热点。由于LED的物理特性,决定了驱动电源应满足使LED正常发光的各种要求。设计了一款无IC控制的单端反激式LED驱动电源,主要介绍了反激式变压器的设计计算。该驱动电源电路结构简单,可驱动30颗LED灯珠,经测试效率可达88%,纹波电流仅为1.07%,可作为室内外照明应用。     

利用多准则Hopfield网络对ECT进行图像重建

针对电容层析成像技术中图像重建质量较差的问题,提出一种基于多准则Hopfield网络模型的电容层析成像的改进图像重建算法。首先分析了ECT图像重建和Hopfield网络的基本原理,然后根据ECT图像重建的特点确定了4种准则函数:图像熵、测量电容和估计电容的误差平方和、重建图像的局部非均匀性函数和总变差,并将这4种准则函数引入Hopfield网络的能量函数中,由此推导出Hopfield网络的动态方程,在此基础上得到ECT图像重建迭代算法,最后通过仿真实验对所提方法进行了验证。仿真实验结果表明利用此方法获得的重建图像误差和相关系数比LBP算法和Landweber迭代算法得到的相应指标要好。由此可见,该方法是一种有效的、精确度较高的ECT图像重建方法。     

聚合物掺杂富勒烯衍生物光伏特性的研究

采用聚3-己基噻吩(P3HT)与富勒烯衍生物(PCBM)混合制备复合光伏器件,器件结构为ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/Al。通过PCBM不同掺杂浓度的掺杂体系光伏特性的研究发现,P3HT∶PCBM质量比为1∶4时,器件显示出较好的光伏特性,开路电压为0.69 V,在光强为90 mW/cm2的白光(光源为氙灯)激发下,器件的短路电流密度为6.73 mA/cm2,填充因子为0.33,能量转换效率达到1.7%。     

独立成分分析在两相流速度测量中的应用

文中提出一种基于独立成分分析和相关法测量两相流速度的方法。首先介绍独立成分分析的基本原理，然后利用独立成分分析分别分离出上游和下游传感器的两相流混合信号，并据此画出对应两相流信号的相关函数曲线，得到不同速度信号的渡越时间。最后给出仿真宴验的处理结果。     

薄膜晶体管研究进展

薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。     

线性神经网络在周期信号傅立叶变换中的应用

提出一种利用线性神经网络进行周期信号傅立叶变换的方法.首先介绍傅立叶变换和线性神经网络的基本原理以及线性神经网络权值的确定方法;然后给出使用线性神经网络对周期信号进行分解的具体步骤.最后给出仿真实验结果.     

基于叠层结构的本体异质结有机太阳电池

研究了叠层结构的本体异质结有机太阳电池，下层电池由共轭聚合物（MEH-PPV）作为光敏层，上层电池由共轭聚合物（1VIEDPPV）和ZnO纳米颗粒（50nm）组成光敏层。器件结构为ITO／PEDOT：PSS／MEHPPV／Ag／MEH-PPV：ZnO／Al。与单层有机太阳电池（ITO／PEDOT：PSS／MEH-PPV／Al）相比，叠层结构的开路电压Voc是单层电池的3．7倍，短路电流Jsc是单层电池的1．6倍。     

基于叠层结构的本体异质结有太阳电池

研究了叠层结构的本体异质结有机太阳电池,下层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)作为光敏层,上层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)和ZnO纳米颗粒(50nm)组成光敏层.器件结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Ag/MEH-PPV:ZnO /Al.与单层有机太阳电池 (ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al) 相比,叠层结构的开路电压VOC是单层电池的3.7倍,短路电流JSC是单层电池的1.6倍.     

空间滤波和独立成分分析在速度测量中的应用

介绍一种利用空间滤波、独立成分分析处理两相流信号的方法,首先研究电容传感器的空间滤波效应,然后介绍独立成分分析的基本原理,并利用此方法对两相流信号进行处理;根据傅立叶变换确定传感器信号的带宽;根据带宽求出固体速度.最后给出对实际测量信号的处理结果.     

基于有机薄膜晶体管电特性曲线获取迁移率方法的研究

场效应迁移率是描述有机薄膜晶体管(OTFT)性能的 重要参数之一,目前OTFT场效应迁移率主要根据实验测得OTFT电特性曲线通过拟合计算方法 获得。本文针对这种方法进行深入研究发现,OTFT的场效应迁 移率与其工作状态有关。在线性工作状态下,OTFT的线性区场效应迁移率随 着 栅电压的增加而增大;在饱和工作状态下,当漏电压VD>1.5VGmax时,饱和区场效应迁移率 为一定值,表明采用此值表征OTFT的电性能更加客观和精确。