基于可靠性的军用运输机维修管理

近年来,基于可靠性理念的维修管理思想逐渐应用于运输机维修管理工作之中,以保证运输机维修管理的科学性及运行的安全性.本文围绕可靠性分析航空器维修管理过程及其实现方式,提出军用运输机维修管理方案的制定策略.     

分子束外延的CdTe在碲镉汞中波器件中钝化效果

采用分子束外延技术（MBE）制备了碲化镉（CdTe）原位钝化的中波碲镉汞（HgCdTe）材料。原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明,分子束原位外延的CdTe可见cross-hatch,表面粗糙度为1～2 nm,CdTe和HgCdTe界面结合紧密。微波光导测试结果显示,77 K时,与表面处理后非原位CdTe钝化的HgCdTe材料相比,CdTe原位钝化的HgCdTe材料的少子寿命较大。制备了分子束外延CdTe原位钝化的中波HgCdTe光伏器件,和相同材料上的非原位CdTe/ZnS双层钝化制备的器件I-V特性相似。     

从文化之维看非政府组织的自主性缺失

自主性是非政府组织的基本属性。导致非政府组织自主性缺失的原因,有经济和行政制度方面的,也有社会文化方面的。比较了美国和日本的非政府组织的自主性状况与其社会文化的关系。认为文化因素对非政府组织发展的影响是根本性的。     

中国式技术变迁方式转变对经济高质量发展的影响研究

改革开放以来,依托引进式技术进步方式与特有的国家强控制力优势,我国经济实现了高速增长。然而,这种外源性的技术进步在带来经济“量”高速增长的同时却不利于经济“质”的提升,并造成了经济的结构性矛盾和不平衡问题,阻碍了我国经济高质量发展。而原发式技术进步方式通过“供需再平衡机制”、“资源优化配置机制”、“新旧动能转换机制”能有效地驱动经济质量变革、效率变革和动力变革,进而促进经济创新、协调、绿色、开放和共享发展。因此,当前中国式技术变迁需要从第Ⅱ阶段(引进式技术进步方式向原发式进步方式过渡的阶段)向第Ⅲ阶段(以原发式技术进步方式为主的阶段)转变,这是实现我国经济从高速增长向高质量发展阶段成功转换的关键。     

电网电压不平衡及谐波畸变时基波电压正负序分量分离新方法

针对传统锁相环(PLL)在电网电压不平衡及谐波畸变下利用常规软件锁相环不能准确获取相位的问题,提出了一种新的正负序分量分离新方法。利用了相序解耦谐振控制器能去除高次谐波和延时信号消除(DSC)法可滤除特定谐波的特性,将相序解耦谐振和延时信号消除法结合起来,达到更好的正负序分量分离的效果。最后,采用MATLAB/Simulink软件仿真结果证明了所提出方法的可行性和有效性。     

TD-SCDMA系统中成形滤波器在TMS320C55xDSP中的实现

本文介绍了TD-SCDMA系统中成形FIR数字滤波器的改进算法在TMS320C55x DSP中的实现问题.介绍了TMS320C55x DSP的功能特点,并根据其特点来优化其DSP算法,定量分析其优化算法对DSP资源的消耗,为有关开发提供了参考依据.     

HgCdTe分子束外延In掺杂研究

报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 .     

替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理

基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.     

用Si作衬底的碲镉汞分子束外延研究

1引言 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)三元合金化合物半导体是一种重要的红外探测器材料.通过调节其组分x值的大小,可以连续改变其禁带宽度(从0eV～1.6eV),从而获得几乎覆盖整个红外区域的响应波长.现在,用碲镉汞制备的红外探测器在军事、民用等领域已经得到了广泛的应用.从20世纪70年代末第一代红外探测器的出现到现在的大规模红外焦平面器件的研制成功,都说明高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.与其他外延技术相比,分子束外延技术在表面型貌的质量、组分厚度均匀性上具有独到的优势[1].     

钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片

报道了在钝化界面进行低能等离子体植氢优化的n+-on-p碲镉汞(HgCdTe)中波(MW,mid-wavelength)光伏红外探测芯片的研究成果.基于由采用分子束外延技术生长的HgCdTe薄膜材料,通过注入阻挡层的生长、注入窗口的光刻、形成光电二极管的B+注入、钝化介质膜的生长、优化钝化界面的等离子体植氢、金属化和铟...